中科四合:Fanout技术是半导体封装未来主要技术发展方向

2020-07-01来源: 爱集微关键字:Fanout

6月30日,深圳中科四合科技有限公司(简称“中科四合”)总经理黄冕,在厦门(海沧)集成电路企业联合产品发布会暨签约仪式上发表讲话。


黄冕指出:“随着半导体技术按照特征尺寸等比例缩小的进一步发展,半导体封装也随之朝着小体积、高密度、高散热性、高集成度的方向发展,而Fanout技术是半导体封装未来主要的技术发展方向之一。”

一直以来,中科四合基于先进Fan out封装工艺技术开发新型分立器件/模组;符合车规级的Panel级分立器件/模组Fan-out封装工艺制造,面向消费类、工业类、汽车类、通信类等行业应用。

据其介绍,中科四合利用Fanout先进封装工艺已实现小信号ESD器件研发并实现量产。可提供尺寸更小、内阻/热阻更低的Mosfet产品,该产品将于今年第三季度量产。用于光伏太阳能领域的SBD产品,相比以往的产品,以及GaN模块产品开发。

黄冕称:“我们的工厂目前在深圳,明年计划在厦门海沧的园区中新建两栋厂房,争取在明年第四季度实现产出。”


关键字:Fanout 编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic501664.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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