华澜微骆建军:存储控制器技术是解决存储卡瓶颈重要环节

2020-08-02来源: 爱集微关键字:存储控制器

2020年6月,美国权威科技媒体CIO Review评选了在HPC(High Performance Computing高性能计算)领域最富有潜力的20大企业,华澜微电子(SageMicro)和澜起科技(Montage)两家中企入列。

7月29日,全球闪存峰会特别邀请了华澜微董事长、杭州电子科技大学微电子研究中心主任骆建军教授就存储控制器发展趋势发表了《固态硬盘控制器芯片关键技术发展简析》的主题演讲。


骆建军在演讲中提到了固态存储控制器在发展中遇到的问题,即数据量的爆发式增长。用户在有限体积下对更大容量存储的需求;高性能计算和人工智能(AI)等应用对数据读写速度的需求;对存储系统可靠性要求不断提高,但闪存技术不断发展带来的可靠性降低,是闪存控制器技术发展的矛盾和挑战;数据高安全性防护,要求存储控制器提供片上集成的高效加/解密功能,成为刚需。

华澜微一直致力于解决上述问题,骆建军指出,在底层架构方面,华澜微很早就拥有了异构多核SoC架构的存储控制器的全球专利,该架构通过多核间的进程协调、总线竞争、多任务和分布式管理技术,解决了存储传输速度、缓存、全局映射、闪存通道速度的高效平衡等问题。此外,华澜微已在此专利基础上实现了更小面积存储控制器上实现更大容量存储应用,研制成功多颗存储控制器,在全球发展了众多用户,产品得到了批量规模化应用。


为了解决速度和数据存储可靠性的问题,华澜微在闪存控制器内部实现了特色的eRAID®技术;另外,映射表的“复眼“保护技术,也是很好的针对数据存储高可靠性的解决方案。

众所周知,因为异常掉电引起的DRAM缓存数据可靠性问题已然成为了一个“顽疾”,而华澜微通过全球首创性引入MRAM介质创新了应用,彻底解决了存储产品的掉电可靠性问题和性能问题的矛盾,为全球存储控制器研发厂商打开了解决掉电保护问题、提高产品速度的另一扇门。

骆建军提到,华澜微为了进一步提高闪存纠错算法技术,闪存介质技术从原有的2D工艺发展到3D,层数堆叠越来越高,从32层发展到目前的92层,96层,128层……,从SLC到MLC、TLC、QLC、PLC……,纠错算法也从原来的BCH发展到了LDPC,但这并不能满足存储速度的不断发展和闪存技术发展之间带来的矛盾,华澜微通过研发新的纠错算法,将更好的解决闪存纠错问题,突破存储速度瓶颈。

另外,华澜微通过在存储控制器上实现主动防卫技术和数据加解密引擎技术,在不占用主机CPU的计算和内存资源的前提下,即可实现对传统病毒检测和木马侵袭的防护,防止对存储数据的非法读写,解决存储数据泄密问题;也可以提供基本的边缘计算功能。

此外,骆建军指出在存储控制器发展中,需要在更好解决高速串行接口协议层技术方面的难题,只有从更底层去解决这一基础问题,存储控制器才能发展的更好。这个方面国内一些厂家缺少包括接口物理层和协议层的IP积累,依赖于海外授权。华澜微积累了全系列从USB、SATA、PCIE的IP核,可以和大家分享这些方面的成果,携手共赢。

最后,骆建军说道,存储控制器技术是大数据、云存储技术的硬科技和基础,是彻底解决存储卡脖子技术难题的重要环节,存储控制器技术不仅需要多年持之以恒的技术积累,更需要存储产业界及上下游不断的推动和应用。


关键字:存储控制器 编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic505002.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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