英特尔俄勒冈工厂引进High NA EUV光刻机

发布者:温馨花香最新更新时间:2022-02-11 来源: 爱集微关键字:英特尔 手机看文章 扫描二维码
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英特尔近日表示,将在俄勒冈工厂引进ASML下一代High NA EUV光刻机,这是否将给正在与台积电、三星电子展开超细半导体商用化竞争的英特尔带来优势,值得关注。

据ETNews报道,英特尔在业界率先采用High NA技术,并将于2024年采用“20A”工艺生产芯片。在去年3年宣布重新进入代工市场后,英特尔宣布将完成20A工艺(相当于2nm),生产计划定于2024年。最近,英特尔已经将高通选定为代工客户,预计将采用超细工艺为后者代工尖端的芯片。

英特尔和ASML联手推出High NA EUV光刻机被认为是英特尔CEO基辛格在代工市场的大胆举动。High NA EUV光刻机可以减少对微电路的绘制次数。其特点是将透镜的数值孔径(NA)从0.33提高到0.55。这就减少了刻有电路图案的掩模的数量,从而降低了成本并缩短了工艺时间。

英特尔计划,通过率先采用High NA设备,抢占代工市场。在与台积电和三星电子竞争的代工市场上,英特尔必须通过引进4nm以下的工艺来促进代工业务的增长。随着精细工艺的引入,预计高附加值APs等芯片的数量将会增加。


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