电子科大在二维材料微纳机电器件研究方向取得重要进展

最新更新时间:2022-05-13来源: 爱集微 手机看文章 扫描二维码
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近日,电子科技大学基础与前沿研究院的王曾晖、夏娟课题组研究了基于二硒化钨(WSe2)的二维微纳机电器件。相关成果发表在学术期刊Nano Letters。电子科技大学基础与前沿研究院为论文第一单位和通讯单位。

据悉,由于二维材料原子级别的厚度,使得材料中的应力对外界调控极为敏感,在实现频率可调的微纳机电器件(如压控振荡器等)上具有显著的优势。但不同器件参数对这一频率可调性的影响,以及如何有针对性地优化频率调控效率等重要问题,仍然缺乏较为系统的研究和总结。

针对这一问题,该课题组的研究者们制备并测量了几十个不同尺寸的WSe2二维微纳机电谐振器,器件厚度从单层WSe2一直到一百多层不等,在此基础上,通过对器件振动的动力学方程进行深入分析,研究者们找到了最有利于使用栅压进行频率调控的器件参数区域,并成功在此类器件上进行了成功验证。

此外,在微纳机电器件研究方向,该课题组还与国防科技大学合作,在一款国产MEMS传感器中深入探索了非线性状态下模态耦合带来的独特效应,并基于此成功实现了模拟传感信号的“自放大”与“数字化”,为进一步提升传感器性能提出了新的思路;在二维材料研究中,该课题组也取得了一系列重要成果。


编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic572012.html

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