西数计划在年底前量产162层NAND 目标到2024年超过200层

最新更新时间:2022-05-16来源: cnbeta关键字:NAND 手机看文章 扫描二维码
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西部数据计划开始大规模生产162层的BiCS6 3D NAND,这可能在今年年底前就用于PCIe 5规范的SSD。该公司还在研发用于数据中心存储的200层以上的NAND,PLC,以及将多个3D NAND晶圆粘合在一起以增加层数的方法。

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西部数据与合作伙伴Kioxia一起,刚刚让我们看到了他们未来几年NAND发展的路线图。该公司计划很快推出其第六代BiCS,它将具有162层的TLC和QLC结构。


考虑到美光等竞争对手已经有176层NAND一段时间了,这听起来可能不是那么令人印象深刻,但西数声称他们将通过使用一种新材料来缩小存储单元的尺寸,从而使芯片尺寸更小。这将使他们能够制造出更便宜的存储设备,而且性能同样出色。BiCS6 3D NAND的大规模生产计划在2022年底开始,西部数据计划在从廉价USB驱动器到PCIe 5.0固态硬盘的产品中使用这些芯片。

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西部数据还谈到了他们即将推出的具有200多层的BiCS+闪存,该产品将于2024年上市。与BiCS6相比,它的特点是每片晶圆增加55%的比特,传输速度提高60%,写入速度提高15%。值得注意的是,BiCS+仅用于数据中心的固态硬盘,因为该公司计划为消费者存储提供不同级别的2xx层NAND,被称为BiCS-Y。


西部数据还分享说,他们正在研究多种技术,以提高密度和容量,包括PLC,他们计划在未来十年内建立具有500层以上的NAND。



关键字:NAND 编辑:王兆楠 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic572070.html

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