三星正准备量产第8代V-NAND闪存 持续改进存储密度与传输性能

最新更新时间:2022-08-19来源: cnbeta关键字:三星  V-NAND  闪存 手机看文章 扫描二维码
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三星正准备量产第 8 代 V-NAND 闪存,包括即将推出的 PCIe 5.0 SSD 在内的产品,都有望为用户带来巨大的存储容量和性能体验提升。随着 V-NAND 升级到 236 层,同等存储容量的体型也可变得更加紧凑。作为参考,去年发布的第 7 代 V-NAND 已提供 176 层、且支持高达 2.0 GT/s 的传输速率。


除了台式机和笔记本电脑,智能手机也有望迎来基于最新一代 V-NAND 的 UFS 3.1(以及最新的 UFS 4.0)标准的高速闪存。


不过想要堆砌更多层的 3D-NAND 也并非易事,尽管三星早在 2013 年就率先发布了初代 V-NAND,但实际推行仍相当谨慎。


于是在突破 200 层大关的时候,三星分别被美光(232L)和 SK 海力士(238L)给反超。

直到去年提供超过 200 层的 V-NAND 闪存样品,三星才逐渐积累了所需的先验知识。

虽然我们尚未知晓三星第 8 代 V-NAND 的确切规格参数,但新一代产品势必会带来性能与密度的大幅提升。

作为参考,美光声称其 232 层 NAND 可实现单颗 2TB 容量,以及 11.68 GB/s 读取和 10 GB/s 的写入速度。

在将上述特性缩放到一张邮票大小的芯片上的同时,整体读取延迟也有所改进,意味着传输速度的继续提升。

最后,随着 AMD 锐龙 7000 和英特尔 Raptor Lake 平台即将上市,相信三星页会很快向客户交付更大容量 @ 10+ GB/s 速率的固态驱动器。


关键字:三星  V-NAND  闪存 编辑:王兆楠 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic619307.html

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