AOS新的硅和封装技术提供绿色电源设计

      Alpha & Omega Semiconductor, Inc.(AOS)宣布推出新的硅和封装技术, 旨在为电源设计者提供绿色的解决方案。 这些产品将为 AOS 的产品组合添加高性能的低压 (30V)、 中压 (100V) 和高压 (650V) MOSFET。 新产品专为满足电源高效率、 低开关噪音以及绿色环保 要求， 并适用于数据通信、工业、计算和高端消费者电源产品。

低压

      AOS 新组合的 AON6200 高边和 AON6702 低边 30V N沟道 MOSFET 可实现高效率和低噪音的电源 转换。AON6200 是在 AOS 专有的分裂闸 (SGT) 技术上推出的首个产品， 提供领先的 Ciss 和 Crss 性能以减少开关渡越损耗。AON6702 （最大值2mΩ）低边 MOSFET 是 AOS 第二代SRFET™ 技术的旗 舰产品， 以单片的方式将肖特基二极管与MOSFET相集成。 通过减少传导和开关损耗， 肖特基的低正向压降和低存储电荷、Qrr实现高效率。

      将 AON6200 和 AON6702 配置在一起能够高效率地轻松支持每相25A， 并提供 低于竞争对手解决方案 25% 的振铃。 较低的噪音操作提高系统整体的可靠性和性能， 同时还减少EMI 排放。 两种产品都采用 尺寸不到 1mm 的 DFN5x6 封装，并使用绿色的、无卤素的模塑料。

      AOS 还扩大其低压 P 沟道 MOSFET 产品。AON6403 采用 AOS 第四代 (G4) P 沟道技术制造， 提供同类 产品中最低的导通电阻。 其导通电阻最大为 3.2mΩ ， 在电池断开连接或热切换应用中可提供最高效的 负载和电源开关。

中压

      AOS 发布其专有的 SDMOS™ 系列上的头两款 100V N 沟道 MOSFET。 14mΩ的 AON6450 采用无卤素的 DFN5x6 封装，非常适合半桥和全桥的电信电源。15mΩ 的 AOT412 采用无卤素的 TO-220封装， 在此方 面 AOS 是率先推出绿色版本的供应商之一。AOT412 经特别设计，在AC-DC 适配器中提供效率比传统 二极管解决方案更高的同步整流器解决方案，从而符合新的80+电源标准。AOS 的 SDMOS 产品的软二 极管性能可减少噪音，简化电源设计者的工作以设计可靠的系统并准时推出他们的产品。

高压

      AOS 扩大其高压 500V-600V 的 MOSFET 产品以包含 650V 的选件。 AOS 将推出完整的 650V 产品系 列（从6A到12A）以支持需要更多电压设计余量的 AC/DC 应用。通过提供优化组合的 低 RDS(ON)  和 Crss，新的 MOSFET 可实现高效的电源转换，同时又减少开关损耗。这些产品也以无卤素的 TO-220 和 TO-220F 封装提供。