Vishay引入采用1212外形尺寸电感器

最新更新时间:2011-01-07来源: EEWORLD关键字:Vishay  IHLP®家族 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

     宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 7 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新的采用1212外形尺寸的IHLP®低外形、高电流电感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位为3.0mmx3.6mm,分别具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。

     IHLP-1212AB-11和 IHLP-1212AE-11具有最高1MHz的频率和0.22µH~1.0µH的标准感值,在下一代移动设备、笔记本电脑、桌面电脑、图形卡、便携式游戏机、个人导航系统、个人多媒体设备和汽车系统等终端产品中,新器件可用做电压调节模块(VRM)和DC/DC转换器应用,低剖面、高电流电源和负载点转换器,分布式电源系统及现场可编程门阵列(FPGA)的高性能、节省空间和能源的解决方案。

     IHLP-1212AB-11的感值范围为0.22µH~ 0.56µH,饱和电流范围为6.7A~9.3A,典型DCR为9.5mΩ~18.7mΩ,最大DCR为11.4 mΩ~22.0mΩ。IHLP-1212AE-11的感值范围为0.22µH~1.0µH,饱和电流范围为5.3A~9.0A, 标准DCR为9.5mΩ~29.5mΩ,最大DCR为11.4mΩ~33.0mΩ。

     新电感可处理高瞬态电流峰值而不会硬饱和。新器件符合RoHS规范、100%无铅的屏蔽复合结构可降低蜂鸣噪声的水平,工作温度范围为-55℃~+125℃,对热冲击、潮湿、机械冲击和振动有很高的抵御能力。

 

关键字:Vishay  IHLP®家族 编辑:赵思潇 引用地址:Vishay引入采用1212外形尺寸电感器

上一篇:估算热插拔MOSFET的瞬态温升
下一篇:全新二极管同时确保USB静电防护和信号质量

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:05

Vishay推出的新款汽车级厚膜片式电阻可在减少系统元件数量的同时,提高精度和稳定性
Vishay推出的新款汽车级厚膜片式电阻可在减少系统元件数量的同时,提高精度和稳定性 节省空间型器件采用小型2512封装,工作电压达1415 V,适用于汽车和工业应用 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年3月8日 — 日前, Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新系列小型2512封装汽车级厚膜片式电阻---CDMA系列,工作电压达1415 V。 Vishay Techno CDMA系列电阻可减少系统元件数量,降低汽车和工业应用加工成本,同时减小PCB尺寸,提高精度和稳定性。 日前发布的片式电阻分压器在单体封装中集成两个电阻,爬电距离5mm,一个器件可替代分压
[电源管理]
<font color='red'>Vishay</font>推出的新款汽车级厚膜片式电阻可在减少系统元件数量的同时,提高精度和稳定性
Vishay推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管
器件厚度小于0.4mm,反向击穿电压超过15.5V,可用于各种便携式电子产品. 宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 1 月29 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管---VESD15A1-HD1-G4-08。该二极管具有超过15.5V的反向雪崩击穿电压和低正向电压,采用超小的LLP1006-2L封装。 Vishay Semiconductors VESD15A1-HD1-G4-08具有1.0mm x 0.6mm的小占位和不到0.4mm的厚度
[焦点新闻]
<font color='red'>Vishay</font>推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管
Vishay在POWER-GEN International® 2017上展出最新的网格和绕带电阻
电子网消息,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将参加全球最大的发电行业展会POWER-GEN International®2017,并展出用于石油和天然气、工业、铁路和可再生能源电源系统的最新的网格和绕带电阻。该展览在内华达州拉斯维加斯的Las Vegas会议中心举行,时间从12月5日到7日。Vishay将在6736展位展出Vishay Milwaukee GRE1、GRE2和GRE3系列高功率、大电流的网格电阻,RBEF/RBSF系列绕带电阻,NGR系列中性点接地电阻。 Vishay的GRE1、GRE2和GRE3系列网格电阻适用于机车、谐波滤波器、可再生能源及工业系统中电容器的预充电和放电、
[半导体设计/制造]
Vishay精密无磁薄膜片式电阻以小尺寸实现6W功率
宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 7 月18 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列高功率、表面贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底,功率等级为2W和6W,外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝衬底具有更大的背面焊接端,能够有效减小电阻表层与最终用户的电路板上焊点之间的热阻。因此,这些电阻能比前一代无磁电阻高4倍的功率。 这些器件的额定功率高,非常适合用在通信、医疗和军工设备及仪表的电源里。电阻具有
[电源管理]
<font color='red'>Vishay</font>精密无磁薄膜片式电阻以小尺寸实现6W功率
Vishay推出微型面板电位计:P11P和P11D
      Vishay Intertechnology宣布推出两款微型面板电位计(P11P 和 P11D),这两款产品具有 5,000 VRMS 的高抗电强度,采用金属陶瓷和导电塑料材料,可提供多种模块和接线端类型。Vishay的新型 Sfernice 器件具有从每英寸 0.3 盎司到 1.4 盎司的典型操作扭矩以及每英寸 6.8 磅的终点止动扭矩。这些电位计可提供 20Ω至 10MΩ 的电阻值范围,并且具有低至 1% 的典型触点电阻误差以及低至 ±150 ppm/°C 的TCR。此外,产品通过了 CECC41 000 标准测试,- 40°C 至 +100°C 的工作温度范围可确保即使在极端环境中也能实现可靠运行。    
[测试测量]
Vishay推出可用于7V充电电路的无线充电接收线圈
2013 年 10 月31 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用铁粉的、符合WPC(无线充电联盟)标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832EC-50,可适用于有对准磁铁或者没有对准磁铁的设计使用条件。该款无线充电接收线圈具有耐用的结构和高磁导率屏蔽,给7V电压的便携式电子产品充电时的效率超过75%。 今天推出的Vishay Dale接收线圈已经被设计进一个主要无线电源开发套件里。对于更高电压的无线充电底座和接收器,IWAS-4832EC-50的高饱和铁粉不会受到永磁定位磁铁的影响,能够屏蔽敏感元件或电池发出的充电磁通。 在40
[手机便携]
<font color='red'>Vishay</font>推出可用于7V充电电路的无线充电接收线圈
Vishay全新高速红外发射器,亮度提高30 %
850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40 °C至+110 °C 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外(IR)发射器系列---VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01,该系列器件是业内带侧光挡板的最小封装,扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01(850 nm)、VSMY5890X01(890 nm)和VSMY5940X01(940 nm)器件采用Sur
[半导体设计/制造]
<font color='red'>Vishay</font>全新高速红外发射器,亮度提高30 %
Vishay Siliconix推出双P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ,其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的,所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。 SiA921EDJ在4.5V和2.5V条件下分别具有59 mΩ和98 mΩ的超低导通电阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,使器件在开关时比市场上任何双P沟道功率MOSFET所消耗的能量都要少。 而其他最接近的P沟道器件在4.5V栅极驱动电压、大于12V的栅源额定电
[模拟电子]
<font color='red'>Vishay</font> Siliconix推出双P沟道功率MOSFET
小广播
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty
随便看看
    502 Bad Gateway

    502 Bad Gateway


    openresty
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
502 Bad Gateway

502 Bad Gateway


openresty