推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:57
罗姆:小器件大智慧
1954年以电阻在日本京都起家的罗姆,在面向下一个50年时,提出了四大战略——相乘战略(与合作伙伴优势互补)、LED战略、功率器件战略、传感器战略。此次CEATEC展示,也充分体现了这些战略,以“Power&Smart——新一代元器件创造未来”为主题,分为SiC功率器件新产品、LED和有机EL照明产品、实现个人医疗保健的传感技术等三大展区。
大地震后的日本能源问题成为热点,罗姆新一代功率器件的亮相极受关注。SiC(碳化硅)材料耐热性好、功率损耗小,因而成为制造高温、大功率电子器件的一种最具有优势的半导体材料,并且具有远大于Si材料的功率器件品质因子。SiC功率器件的研发始于20世纪90年代,目前已成为新型功率半导体
[EEWORLD独家]
电源用分立器件
电源用分立器件包括双极型晶体管开关、FET(场效应晶体管)、整流二极管等。双极型晶体管从门断开晶体管到绝缘栅双极晶体管都正向高速度、低损耗发展。FET从结型FET到电源MOS FET、STT(静电感应晶体管)则正努力走向高速化和高性能化。最近,开关电源和DC/DC变换器多使用N沟道的电源MOS FET,若将几万个这样的FET并列组装使用,即可达到耐高压,正开发700V级的耐高压产品。
便携电子产品用的低压电源MOS FET近日很受人注目。它们采用SOP(小外型封装)或TSOP(薄型小外型封装)。最近,比TSOP封装面积更小一半的新型封装,如VSON、MCPH和CMEPAK等也纷纷登场。
整流二极
[电源管理]
安森美推出下一代风机电机驱动器 以简化和加速家电设计
2016 年 9 月28日- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出3款通过180 正弦波驱动3相无刷直流(BLDC)电机的新器件。LV8811、LV8813和LV8814设计用于家电如冰箱的散热风扇,及游戏机和计算设备,电压范围分别为3.6伏(V)至16 V、6 V至16 V,和3.6 V至16 V。这些高度集成的、无软件的电机驱动器因省去软件开发时间故能简化电机控制电路设计。此外,这些器件减少噪声和振动,实现高能效的电机控制部署。它们可由单个霍尔传感器控制,降低系统成本。电机速度可通过一个脉宽调制(PWM)信号或一个直流电压设置。而且,它们的引线角度易于调整。
[电源管理]
DDS器件AD9858及其在雷达信号源中的应用
1 引言
近年来,随着雷达技术的迅速发展,人们对雷达信号的要求也越来越高。高精度、高扫描率、高抗干扰性、低截获率成为人们追求的目标。满足这种需求除了靠产生复杂的雷达波形外,还需要在雷达系统中应用高性能的器件。而高性能DDS技术、DSP技术及大规模可编程逻辑器件技术、电子计算机的应用为此类问题的解决提供了一种新的途径。AD9858就是一款高性能的DDS器件,可方便快速地产生线性调频、单频脉冲及编码调制信号。
?
2 器件简介
ADI公司推出的AD9858器件是具有1GSPS千兆次取样/秒速率的直接数字合成器DDS、10位D/A转换器、快速频率跳跃和精细调谐分辨率功能的
[模拟电子]
如何检测PCB板上的元器件
在科技日臻发达的今天,相信大家对电子设备都不陌生,电子设备的核心是电路板,而电路板则是由各种类型的电子元器件大量组合而成,如果设备发生故障或者出现短路,缘由大部分会出现在电子元器件失效或者损坏引起的。故而小编今天就给大家带来一些正确检测电子元器件的方法与技巧,这些方法与技巧都是电子维修人员在日复一日的维修过程中总结积累下来的,供大家参考。 1.测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4~10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端。 2.判断晶振的好坏 先用万用表(R×10k挡)测晶振两端
[测试测量]
利用高性能模拟器件简化便携式医疗设备设计
目前, 医疗电器 OEM 厂商正在开发技术含量更高的、用于治疗和监控常见疾病的个人保健设备。这些产品价格合理,极大提高了医疗保健质量。 MCU 在家用血压计、肺活量计、脉搏血氧计及心率监测器等便携式 医疗设备 中起着重要作用。大多数此类产品中的实际生理信号是 模拟 信号,在测量、监控或显示前需要进行放大、过滤等处理。
将高性能模拟外设嵌入超低功耗 MCU 中,不仅可以实现便携式医疗电子设备的片上系统化,而且还可延长 电池 使用寿命。本文将介绍简化便携式电池供电医疗设备的模拟前端设计的多种方法,如将 运算 放大器 、 ADC 、 DAC 等高性能外设与低功耗MCU结合使用。MCU 具有数字滤波、处理功能,还可以显示血压
[医疗电子]
高阻器件低频噪声测试技术与应用研究--高阻器件噪声测试技术
第三章高阻器件噪声测试技术
3.1高阻样品噪声测试问题分析
研究者们发现当噪声的研究扩大至诸如电容器,MOS器件栅氧化层,高阻值电阻器之类的高阻器件或高阻材料范围时,传统的噪声测试技术不再行之有效,出现了诸多新的技术问题和挑战。 (1)高源阻抗使电压噪声信号衰减
传统测试电压噪声的测试方法无法使信号充分放大。在放大器输入阻抗固定的情况下,过大的测试样品阻值会导致微弱的噪声信号不能充分放大,影响信号提取。具体说明见下图;
r为信号源阻抗,R为放大器输入阻抗,通常这个数值在数十MΩ到数百MΩ甚至上GΩ,E为噪声信号。根据欧姆定律可知,当r值不大,即所测样品为中阻样品时,噪声信号电压几乎全部落在
[测试测量]
无源器件,电容并不总是容性的!
在理想元件理论中,电容表现为容性。然而,这仅在特定的工作条件下成立,且取决于频率范围。本文重点 介绍不同电容的阻抗特性,并说明电容何时会表现为容性,何时不表现为容性。 通常用阻抗和频率来表示电容的频率特性。通过研究这些频谱,可获得大量电化学、物理和技术相关信息 。由于在某些情况下,产品规格书无法提供所有数据,工程师们不得不依靠测得的频谱为电路设计选择合适的元件。为了尽可能完善数据库,伍尔特电子 (Würth Elektronik eiSos, WE) 采用在线工具 REDEXPERT 为用户提供频谱和其他测量数据。 通过图 1 所示的电路,几乎可以对所有类型电容阻抗与频率的变化关系进行建模,包括多层陶瓷电容 (MLCC
[电源管理]