一直以来，芯片工艺都是兵家必争之地，无论是英特尔、三星还是台积电，而目前，三星在首尔宣布，正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作，进度业界第一，也就是领先台积电和Intel。
据悉，三星目前的10nm工艺是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，这一点和14nm时代的进程一致，后续还会有10nm LPP（low power plus， advanced power processing），预计明年下半年量产，可用于更高性能的芯片。
三星宣称，在2017年初将会正式发布首款消费级别10nm芯片，相较14nm，10nm晶体管面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。看来这次三星走在前面了。
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编辑：冀凯 引用地址：三星正式量产10nm芯片：业界第一
据悉，三星目前的10nm工艺是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，这一点和14nm时代的进程一致，后续还会有10nm LPP（low power plus， advanced power processing），预计明年下半年量产，可用于更高性能的芯片。
三星宣称，在2017年初将会正式发布首款消费级别10nm芯片，相较14nm，10nm晶体管面积效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。看来这次三星走在前面了。
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