恩智浦推出双电源电压ARM Cortex-M0微控制器

恩智浦半导体微控制器业务部市场总监Jan Jaap Bezemer表示：“通常，在单个微型封装中目前还无法实现高性能双电源电压的产品。LPC1100LV系列在同一器件中将电池供电应用的这些关键要求独特地结合起来，使客户可以打造前所未有的低功耗解决方案。”

针对低功耗、快速唤醒而设计
得益于恩智浦最新256字节擦除扇区和低漏电流的嵌入式专有闪存，LPC1100LV可以在低时钟频率下出色地处理线性电流消耗，同时还能降低系统功耗。例如，在智能手机等移动系统中，多数系统元件需要在大多数时候保持功耗极低的睡眠模式。在需要使用器件时，必须在极短的时间内快速唤醒并达到峰值性能。而LPC1100LV的唤醒时间为5us，完全符合这一要求。

更高效地执行要求更高的任务
恩智浦的LPC1100LV器件可实现50 MIPS的性能，而8/16位MCU的典型性能仅为1至5 MIPS。其出色的表现使LPC1100LV可以更快地完成要求极高的任务，并减少保持活动模式的时间，从而进一步降低器件的平均功耗。对于相同的任务，LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95V VDD低电压输入，功耗比竞争对手采用3.3V VDD输入的Cortex-M0器件低三倍以上，比典型8/16位MCU低十倍以上。可以充分发挥LPC1100LV的MIPS性能优势的子系统包括：系统安全和验证 (包括处理AES-256加密)、系统接口和控制 (如键盘和触摸屏)、系统外设控制 (音频和照明) 以及软件堆栈的运行 (如蓝牙低功耗无线电)。

小尺寸和独特的电平转换功能
LPC1100LV采用恩智浦2-mm x 2-mm微型芯片级封装 (WLCSP) —— 是全球最小体积的32位MCU。该款器件同时提供5-mm x 5-mm HVQFN封装选择，为CPU和I/O提供1.8V VDD和3.3V VIO双电压输入，并具有独特的SSP/SPI (3.3V) 和I2C (1.8V) 间电平转换能力。恩智浦还为大客户提供SRAM、闪存和封装的定制组合。

LPC1100LV器件的其他关键技术参数包括：
• 高达50MHz的Cortex-M0 CPU
• 1.6uA深度睡眠电流和5us唤醒时间
• 最高8 KB SRAM和32 KB闪存
• SPI、UART和I2C
• 最高10位、8通道ADC，采样率为400 ksps
• 32位和16位定时器各2个
• 精度为1%的12 MHz振荡器，
• WL-CSP25、HVQFN24和HVQFN33三种封装选择 (提供BGA封装)

目前已开始为主要客户提供样片。