MC34063+MOSFET扩流电路原理图 12v转5v电路

　　随着智能手机和平板电脑的普及以及随之而来的高功耗，此类设备的电池大多只能保持一天的使用。越来越多的场合和设备配备了一个或多个USB充电端口，而车载USB充电器是其中重要的组成部分。由于车身体积较大，车内线路较长，USB充电端口的电压可能随着线路的阻抗而减小从而造成充电电流不足。介绍了一种带有线路补偿功能的车载USB充电器的设计，使得USB充电端口的电压随着电流的增大而提高，实现了USB充电电压的恒定，保证了USB端口的充电电流。 　　DC/DC Buck 变换器：设计主功率级采用了TI LM25117-Q1控制的同步Buck变换器。LM25117-Q1是一款汽车级产品，它提供了功率电路所需要的各种保护，包括可调节输入欠压，过

电机控制电路采用大功率对管BDl39、BDl40组成的H型驱动电路，通过单片机产生占空比不同的PWM脉冲，精确调整电机的转速。这种电路由于工作在晶体管饱和或截止状态，避免了在线性放大区工作时晶体管的管耗，可以最大限度地提高效率;H型电路保证了可以简单地实现电机转速和方向的控制。机器人的 电机控制 电路:

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xtr101热电偶 电路图 如图所示为具有两个温度区域和二极管冷端补偿的热电偶输入电路。该电路采用J型热电偶作为温度传感器，半导体二极管D作为冷端温度补偿形成测量的相对0oC，测量温度，T1范围为0～1000oC。温度T2等于半导体二极管D的温度TD。当测量温度在0～1000oC变化时，J型热电偶将有58mV的变化。在环境温度为+25℃时，典型值为1．28mV。对应0oC的传输电流为4mA，对应+1000oC的传输电流为20mA。

同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的 600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列” 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。 近年来，全球电力供应日趋紧张，这就要求设备要更加节能。据了解，电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此，在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路，越来越多地开始采用

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。 这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。 该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET

2017年12月15日，由北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的国内首台12英寸原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）设备进驻上海集成电路研发中心。北方华创微电子为国产高端装备在先进集成电路芯片生产线的应用再添新秀。 ALD设备是先进集成电路制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备，ALD工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到28纳米节点后，ALD工艺应用日益广泛。北方华创微电子自2014年开始布局ALD设备的开发计划，历时四年，成功推出中国首台应用于集成电路领域的量产型单片ALD设备——PolarisA630，应用于沉积集成电路器件中的高介电常数和金属栅极薄膜材料

集成电路是战略性、基础性、先导性产业 人才是第一资源、创新是第一动力 集成电路是现代化产业体系的核心枢纽，关系国家安全和中国式现代化进程。目前，我国已形成较完整的集成电路产业链，涌现了一批优秀企业和企业家。此外，我国还拥有庞大的芯片消费市场和丰富的应用场景，是市场经济下最宝贵的资源，是推动集成电路产业发展的战略性优势。 集成电路是技术密集和人才密集的产业，当前，全球半导体的竞争包括但不限于制程、设备、资金等，但归根到底，还是人才的竞争。因此，国家高度重视集成电路产业人才队伍建设，《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号）明确提出加快推进集成电路一级学科设置工作