准谐振开关电路

压电元件利用了压电陶瓷的机械谐振特性。谐振频率随振动模式的变化而变化。 谐振频率和振动模式的关系可以概述为以下表格： 不同的振动模式有以下不同的特性: 1. 弯曲振动模式 弯曲方向上的振动。 2. 长度方向振动模式 使薄片在长度上伸缩的振动。 3. 面积扩展模式 在薄片、薄盘表面的面积扩展振动。 4. 厚度剪切振动模式 当电场与极化方向垂直时，薄片表面产生的厚度剪切振动。 5. 厚度扩展振动模式 在薄片厚度方向上的振动。 6. 声表面波 (瑞利波) 模式 在板面存在的一种沿表面传播能量，在板厚度方向上能量呈指数减少的弹性波。 7. BGS波模式 此波能量传播的工作原理同上。声表面波和BGS波的

初步确定采用全桥LCC串并联谐振变换器的拓扑结构 这种东西的好处就是利用谐振可以实现软开关 并且目前控制器初步设想是采用STM32F103VE，还有一种选择是DSP芯片TMS320f2812 这个芯片150M 176管脚并且有PWM输出等各种资源但淘宝一看，他娘的，100多块钱。太贵，所以还是还是选择STM32F103VE合适，实在不行用两片三片，那也比这个芯片便宜。 其实最大的问题在于速度，如果速度没问题，那就选便宜的。哪怕是用两片。 并且开关管，已经初步确定为IGBT。至于驱动电路有些问题，还在选型中。 上面的图只是原型，至于具体电路，肯定还要有添加电路。

几乎所有的电子设备都需要频率控制，而传统的石英晶体谐振器主导应用市场几十年，由于市场规模巨大，石英晶体的制造已经达到精湛水准——不乏更小、更薄、频率更高的解决方案。 那么, 近几年打入频率控制市场的MEMS谐振器，市场驱动力来自哪里？靠什么取胜呢？来听听村田工程师的建议！ 村田MEMS谐振器在0906封装尺寸下，还能达到非常小的ESR。 可穿戴市场的发展，对产品的尺寸和功耗有了更高的要求，晶体谐振器已经很难满足“超小尺寸”下仍然保持低ESR特性(低功耗)，这为MEMS谐振器应用预留了发展空间. 村田的MEMS谐振器是利用了压电现象，通过机械的共振产生一定频率的元件。新推出的这款32.768kHz MEMS谐振器，封装尺

    由于电源分配网络PDN布局寄生电感的影响，变化的驱动电流会引起电源电压的瞬态变化。该电压变化一方面干扰其他器件，另一方面产生干扰电流引起电磁干扰，为此需要尽可能减小PDN阻抗 。     当PDN并联谐振时，谐振频率处会产生高阻抗。为了抑制这种高阻抗，参考文献 通过引入电磁带隙结构（EBG）来抑制谐振，但EBG结构会影响电路的信号完整性；参考文献 在电容支路引入电感元件，通过控制谐振点抑制谐振产生。该方法只是将并联谐振从一个频点转移到另一个频点。     本文提出了一种抑制电源分配网络并联谐振的方法。该方法通过在去耦电容支路中引入一个串联电阻来增加支路损耗，从而达到抑制并联谐振的目的。          

环形转换开关电路

要求 振荡 周期T=1~10S，选择电阻、电容参数，并画出连线图。 解 电路如图9-4所示，其振荡周期C)RR(.T21270+=。如果选择 所以可变电位器的阻值范围为 Ω=−=K~)S~(R11711270101 故选择Ω=KR12即可。最小振荡周期

可变电阻传感器可以将一个固定的直流激励电压或电流变换成一个被测量直接函数的电流或电压。在另一类传感器中，移动物体或流体可以通过改变一个LC电路的电感值或电容值来产生一个传感器信号。图1示出了一个基本的交流驱动调谐电路接近式传感器(即L和C)以及采样电阻器R。在静态条件下，L和C谐振并在某一频率下具有最大阻抗。当一个物体接近该传感器时，L或C值发生变化并改变电路的谐振频率。只要用一个固定频率来激励传感器，并测量输出电压V2相对于激励电压V1的相位或幅度变化，就可以推导出该物体的位置。不过，这种方法会限制传感器的动态范围和分辨率。 作为一种替代方法，可以使用一个跟踪传感器谐振频率变化的扫频交流电源来驱动传感器。图