通过采用DMOS FET [1]型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵容
东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，该公司正在开发BiCD[2]晶体管阵列TB62xxxA系列，以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在一系列广泛的应用中使用，包括电机、继电器和LED驱动。新一代系列产品将搭载采用最新的BiCD工艺技术开发的DMOS FET型输出驱动器。样品出货和量产计划于2015年6月启动。
相比现有的双极晶体管阵列，新产品将提供更快的切换速度并减少输入电流，同时有助于提高功率效率。
东芝供应双极晶体管阵列的历史已逾40年，且目前中压（约50V）TD62xxx系列包含100多款装置。随着近来客户对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）型阵列的需求超过双极阵列，东芝决定开始采用BiCD工艺技术开发晶体管阵列，这项技术有望成为未来的标准。
东芝已从本月开始进行产品开发，并将于2015年6月启动新系列首款产品TB62003A的样品出货和量产。TB62003A是现有TD62003A的升级版。随后，该公司计划每六个月推出TB62xxxA系列中的两款产品，累积将推出超过12款产品。
新系列的主要特性
工艺技术：130nm BiCD（东芝的最新BiCD工艺技术）
维持电压：50V，与现有的双极晶体管阵列相同
封装：与现有双极晶体管阵列的封装相同，均采用同样的引脚分配
输出电流：500mA（TB62003A：与现有产品相同）
功能：与现有产品相同
产品名称：“TB62xxxA系列”，由“TD62xxxA系列”变更而来（命名规则还将改变）
注：
[1]双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管
[2]实现双极、CMOS和DMOS设备集成的工艺技术
关键字：东芝 晶体管
编辑：刘东丽 引用地址：东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列
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SmartNAND系列产品基于24纳米制程工艺，芯片最大容量可达64GB，适用于媒体播放器、平板电脑和其它设备。除了拥有更大存储容量外，新芯片的内存控制器可以进一步提升读取、写入速度。所有芯片均支持错误检查和纠正(ECC)功能，该功能可以减轻主处理器的数据纠错工作负担。
SmartNAND系列芯片容量在4-64GB，其中4GB、8GB、16GB芯片将在4月或5月进行样品生产，32GB和64GB芯片则将在6月份开始样品生产，今夏开始量产。
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