TOSHIBA 东芝半导体

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东芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高电源效率

最新更新时间:2022-04-22
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如今,市场对于高效率电源的需求日益增涨,在此背景下,东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z产品,它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源这四款产品进一步完善了上一代产品在封装、漏源导通电阻和栅漏电荷方面的设计。






与上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1],开关电源效率提高约0.36%[2]未来,顺应市场需求,东芝将继续拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线,为提高电源效率增添“芯”助力。



应用:


工业设备开关电源:

  • 数据中心(服务器电源等)

  • 光伏发电机功率调节器

  • 不间断电源系统



特性:


  • “漏源导通电阻×栅漏电荷”的值降低约40%[1],有助于提高开关电源的效率

  • 直插式TO-220封装



主要规格:

@Ta=25



内部电路




应用电路示例



注:

[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月,东芝测量的数值(采用输出功率为2500W的PFC电路时,TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列


* 本文所示应用电路仅供参考。

* 需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。

* 提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。



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