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7月17日|半导体云讲堂—宽禁带半导体(GaN/SiC)材料及器件测试

最新更新时间:2020-07-14
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宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC,GaN等被广泛应用于射频,超高压等领域,为适应特高压输电,电动汽车充电桩等超高压应用,可以承受更高电压的超宽禁带半导体,如金刚石,氧化镓等的研究也在逐渐深入。


宽禁带材料一直是研究方向的热点,在半导体材料的研究中,电阻率,载流子密度和迁移率是测试的关键参数

直播亮点

对第三代半导体的研究和测试主要分为三个阶段,本次直播将为大家介绍各阶段亮点及所面临的测试挑战!

  • 材料级-材料阻抗分析

    - 低电平测量挑战

    材料自热效应对测试的挑战

    半导体材料的霍尔效应


  • 器件级特性-静态参数分析

    高压3kV,高流100A高精度源表

    从Lab到Fab的以源表为硬件构成的完整静态参数测试系统

    超高精度电流输出精度40fA,电流测试精度10fA,电压测试精度80µV


  • 应用层测试-动态参数分析

    示波器+双脉冲信号源+光隔离探头组成的双脉冲测量方案

    器件动态参数的一键式配置和结果显示


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直播日程


直播时间:

7月17号(周五)14:30 - 15:40

√ 14:30-15:00  

宽禁带半导体(GaN/SiC)材料及器件测试

√ 15:00-15:30  

互动与答疑

√ 15:30-15:40  

抢答有奖



主讲人

朱杰昕

泰克现场应用工程师 

2009年毕业于上海大学通信与工程专业,于2013年加入泰克公司,历任技术支持工程师,目前担任华东区现场应用工程师。

主要负责华东地区通用信号测试仪器,包括,示波器、源表、任意波形发生器、数采等产品,加入泰克以来,为广大的研究院、知名企业、院校研究类学科专业提供了专业的技术服务,对电源完整性、小信号测试、前沿科研材料电学特性测试及应用有着深入的研究和深刻的理解。

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