NPD DisplaySearch上海办公室，2013年10月17日 --- 在政府和银行雄厚资金的支持下，中国LCD厂商积极建造八代线液晶面板厂，从而使得中国正向全球的LCD产能大国迈进。根据NPD DisplaySearch 研究显示，到2015年第四季中国大陆将会有以下八座TFT LCD及AMOLED八代线面板厂建成并迈入运作： 北京京东方B4厂 合肥京东方B5厂 重庆京东方B8厂 南京中电熊猫八代厂 深圳华星光电Fab #1 深圳华星光电Fab #2 LG Display广州厂 三星Display苏州厂 随着中国大量建造八代液晶面板厂，人们不禁怀疑到2015年中国是否会超越台湾、日

1、海信携手腾讯 开启电视游戏2.0时代     2月5日，海信腾讯游戏聚好玩产品战略合作发布会在北京壹空间举行。海信海视云CEO于芝涛、腾讯游戏市场总监廖侃代表企业介绍合作情况。双方将围绕“开放平台、统一操控、大屏定制、多屏互娱、社交属性”五大开发标准，共同打造“聚好玩”精品电视(参数 图片 文章)游戏体验平台，推动智能电视游戏发展进入2.0时代。       据悉，“聚好玩”平台将于2月10号在海信VIDAA智能电视上线，首批上线30款精品游戏，包括在海信智能电视端的首发游戏《天天风之旅》，以及全民明星游戏《天天酷跑》、《天天飞车》，并且可与同款手游同步互动。另外，融合了动作、射击、角色扮演等多种元素于一身的游戏大

集邦咨询7月7日消息，晶圆代工厂浮现砍单浪潮，首波订单修正来自大尺寸Driver IC及TDDI，两者主流制程分别为0.1Xμm及55nm。尽管先前在MCU、PMIC等产品仍然紧缺的情况下，晶圆代工厂透过产品组合的调整，产能利用率仍大致维持在满载水位，然而近期PMIC、CIS及部分MCU、SoC砍单潮已浮现，虽仍以消费型应用为主，但晶圆代工厂已陆续不堪客户大幅砍单，产能利用率正式滑落。 集邦咨询特别指出，8英寸节点（包括0.35-0.11μm）的产能利用率可能下降幅度最大。采用这些工艺的产品主要是驱动IC、CIS和电源相关芯片（PMIC、电源分立等）。在这些产品中，驱动IC直接受到电视和个人电脑冷却需求的影响，晶圆投入的下

芯片设计解决方案供应商微捷码（Magma(r)）设计自动化有限公司（纳斯达克代码：LAVA）日前宣布，东芝公司（Toshiba Corporation）将部署Quartz(tm) DRC和Quartz LVS用于快闪存储器设计。东芝公司是在32纳米设计上验证了这两款微捷码物理验证产品的精度后才做出的这个决定。据验证结果显示：Quartz DRC和Quartz LVS的先进功能可改善东芝快闪存储器设计的良率和可靠性。 传统DRC和LVS工具仅采用物理行为分析，这种方式不是引入了过度保守主义，就是不能识别出对产品可靠性有影响的各种效应。在先进工艺节点，电学行为分析也是不可或缺的。微捷码Quartz DRC和Quart

平板终端的供货量2015年将达到目前12倍的2亿4230万台——。美国调查公司IHS iSuppli于2011年2月发表了这一预测。平板终端将借助其侵食现有个人电脑市场的进势走向普及。其存储器的主角就是使用多值（MLC：multi-level cell）技术实现了大容量化的NAND闪存。 2～3年前有很多个人电脑厂商都对配备NAND闪存的MLC产品表示过担心。原因在于NAND闪存的擦写次数等远远不及非多值（SLC：single-level cell）产品。然而，在最近的笔记本电脑及平板终端上，MLC产品的采用已变得相当普遍。MLC产品的采用为何在这一期间得以顺利推进，而SLC产品今后是否会彻底失去用武之地？日前，记者就以

　　新浪科技讯 北京时间9月25日上午消息，三星似乎真的要“放大招了”：一款型号为SM-G888N0的可折叠手机刚刚获得该国监管部门的认证。 　　这个型号曾经出现在去年4月的蓝牙和Wi-Fi认证中，外界认为它与代号为“Project Valley”或“Galaxy X”的三星可折叠手机有关。 　　虽然这项认证并未披露太多信息，但的确表明三星可能会在明年发布这款设备。 　　从2012年开始，三星就一直透露可能推出可折叠手机，他们当时曾经对外大举宣传其YOUM可折叠OLED显示技术。然而，尽管在显示屏领域取得进步，但三星却始终未能将所有零件整合起来，开发出真正可以使用的可折叠智能手机或平板电脑。 　　关于三星可折叠智能手机的传言已

日本科学家近日成功将NAND闪存芯片的驱动电压降低到了1V，此举将令其功耗仅有现有最节能NAND闪存芯片的86%左右，而且这种芯片的写入速度还可 以高达9.5GB/s，还可以并行向100块以上的闪存芯片中同时写入数据。 相比之下，传统的浮栅结构NAND闪存芯片驱动电压高达20V，而铁电结构NAND闪存则为6V。日本科学家们在铁电结构NAND闪存的基础上，向晶体管结构中加入了金属栅和新的绝缘层材料，将其驱动电压进一步下降到了1V左右。 降低驱动电压的另一个难点在于如何避免信号干扰现象，一旦出现信号干扰，那么写入芯片中的数据便会出现偏差，日本科学家解决这个问题的方法则是在写入时关闭周边的晶

SanDisk公司总裁暨CEO Eli Harari在最近举行的SEMI Strategic Business Conference会议上表示，如果NAND的增长率按照现在的速度增加，晶片工厂将没有足够的生产能力来满足市场上使用NAND闪存的需要。巨额的资本支出(CAPEX)需要供应难于满足的闪存需求。 Harari警告说，如果在将来五年中需求继续增长，生产能力将不敷需求。他根据SanDisk公司的缓慢增长对工厂生产能力进行了总体预测。从1999年到2005年闪存卡制造商在总位数上增长了195%。而且公司的增长并没有变慢的迹象。 近来，东芝公司和SanDisk确定计划在日本四日市建设另一家300毫米NAND闪存晶片工厂