总线宽度更高的全新 SRAM 连接相同宽度的 DSP、FPGA 或微控制器/微处理器可显著提升系统性能

2011 年 8 月 1日，北京讯，加州圣何塞讯——赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL®（更长电池使用寿命）异步 SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的 SRAM 产品系列（包括高性能同步、异步和微功耗器件）。这些全新 MoBL SRAM 与 32 位 DSP、FPGA 和处理器配合使用可显著提升系统性能，从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。

赛普拉斯堪称低功耗 SRAM 领域的业界领先公司，提供了广泛的 SRAM 产品系列（从 4 Kb到 128 Mb）。全新 128 Mb (CY62192ESL)、64 Mb (CY62182ESL) 和 32 Mb (CY62172ESL) MoBL 器件均可提供 32 位 I/O 配置，存取时间 (TAA) 为 55 纳秒，并支持宽泛的电压 (1.7V~5.5V)。上述低功耗异步 SRAM 采用赛普拉斯高性能 90 纳米 R95™ CMOS 技术制造而成，并采用 14.0 x 22.0 x 2.4 毫米、符合 RoHS 标准的 119 BGA 封装。

赛普拉斯异步存储事业部高级总监 Sunil Thamaran 指出：“如果应用需要在 SRAM 和控制器之间传输大量数据，包括图像、音频、视频和游戏应用等，那么吞吐量就是一个重要的性能指标。赛普拉斯推出全新 32 位 SRAM 器件，突显了其始终致力于满足该市场领域的高性能需求。此外，我们也已经开始开发采用 65 纳米技术的新一代高性能异步存储器产品，其将进一步降低功耗，并新增包括 ECC 在内的高级功能。”