美光联手南亚科技公司开发低功率DDR2技术-电子工程世界

美光科技有限公司和南亚科技股份有限公司今天宣布，双方联合开发了用于移动和消费应用产品的低功率DDR2（LPDDR2）DRAM技术，其初始晶片密度最高可达1Gb。该LPDDR2技术是双方“DRAM联合开发计划”的开发成果，其工作电压设定为1.2伏，相比LPDDR1可节能50%。

美光公司负责DRAM设计的副总裁John Schreck说，“LPDDR2 DRAM对于如今移动应用的设计来说意义重大，这项新技术功耗低，与低功率DDR1技术相比，其总体系统性能也得到提升，因而能够延长设备的电池寿命。能开发出这项高性能LPDDR2技术，得益于我们与南亚科技公司的联合开发计划在技术设计方面取得的快速进展。我们希望继续发展与南亚科技公司的合作关系，不断为我们的客户群带来业界一流的DRAM设计。”

南亚科技公司高级副总裁丁达刚（Joe Ting）说，“双方联合开发设计的LPDDR2所取得的技术成功证明了两家大型DRAM供应商的协力效应。我们双方都倾力用先进的技术和设计来为客户服务。作为低功率DRAM市场的新人，南亚科技公司准备推出一系列的高级产品，在同一个设计中实现低功率和高性能两种特性，以满足移动世界今后的需求。”

关键字：美光科技南亚科技 DDR2 引用地址：美光联手南亚科技公司开发低功率DDR2技术

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