超芯星国内首套HTCVD碳化硅单晶生长设备研制成功

超芯星官方消息显示，近日，江苏超芯星半导体有限公司（简称“超芯星”）国内首台套HTCVD碳化硅(SiC)单晶生长设备研制成功。

超芯星成立于2019年4月，是一家第三代半导体研发商，致力于6-8英寸碳化硅衬底的研发与产业化。公司拥有国内外高层次人才，曾在海外深耕碳化硅单晶衬底制备20年，技术方面具有核心竞争优势，已实现6英寸碳化硅单晶衬底生产。

据了解，超芯星还完成多轮融资，其中，种子轮由个人天使投资人严宗华完成，天使轮由同创伟业和磊梅瑞斯完成。今年9月，超芯星还宣布完成A轮融资，投资方为南京扬子区块链股权投资基金。