推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:42
Vishay T55系列新增外形尺寸以及电压等级
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,该公司扩充其T55系列vPolyTan 表面贴装聚合物钽式电容器家族产品,新增加的器件有D和V外形尺寸,具有16V~25V的较高电压等级。此外,A和B外形尺寸的器件实现了更低的ESR。
其发布的电容器适用于计算机、通信和工业应用中的电源管理、电池解耦和储能。采用较大的D和V外形尺寸的器件适用于网络设备、计算机和固态硬盘,较小的A和B外形尺寸的电容器适用于平板电脑、智能手机和无线网卡。电容器增加了电压等级,支持计算机外设的电源电压中常见的12V~20V电压。
T55电容器的低ESR要归功于聚合物阴极,其性能远远超过采用二氧化锰材料的器件。另外
[电源管理]
威世推出全新IHSR高温电感器 满足AEC-Q200
据外媒报道,威世集团(Vishay Intertechnology)宣布推出全新满足AEC-Q200标准IHSR高温电感器Vishay Dale IHSR-2525CZ-5A,其外壳尺寸为 7.4mm x 6.6mm x 3mm。该传感器专为汽车引擎盖下和ADAS应用中的多相、大电流电源和滤波器设计,与传统功率电感器相比,其DCR降低了50%,而与铁氧体解决方案相比,其电感和饱和度具有出色的温度稳定性。 (图片来源:威世) 该电感器进行了优化,以应用于10MHz的DC-DC转换器中的能量存储,以及高达电感器SRF(自谐振频率)的高电流滤波应用。该器件工作温度为+15℃,适用于发动机和变速箱控制单元滤波中的DC-DC转换、
[汽车电子]
Vishay的新型耐硫厚膜片式电阻采用Ag/Pd端接
宾夕法尼亚、MALVERN 2016 年 7 月6 日 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列耐硫厚膜片式电阻---RCA-AP e4,用银钯合金(Ag/Pd)来实现导电胶合。Vishay Draloric RCA-AP e4系列器件采用针对工业和汽车应用的稳健性设计,通过了AEC-Q200认证,具有很强的耐硫能力,可在+175℃高温下工作。
今天发布的电阻采用独特的倒装芯片设计,节省空间,封装占位比其他可焊接器件小,还具有低寄生电容和低寄生电感。针对高硫环境,RCA-AP e4系列电阻具有很强的耐硫能力,符合ASTM B809-95要求
[电源管理]
Vishay推出具有极强抗干扰能力的新款红外接收器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的光电子产品组合新增用于遥控系统的完整系列微型自动增益控制分类5(AGC5)的红外接收器 --- AGC5。Vishay的AGC5器件适用于短脉冲编码,具有出色的噪声抑制能力,在噪声条件下能够实现最佳的接收距离。
暗淡的LCD背光、等离子屏的噪声、任何荧光灯,以及严重影响红外系统性能的主要环境光噪声源对Vishay的AGC5器件均没有影响。
这些红外接收器对环境光具有更好的抵御能力,对电源电压的纹波和噪声也不敏感,为机顶盒、液晶电视和DVD播放机等工业及消费类产品中的遥控器应用进行了优化,
[手机便携]
Vishay新型接近传感器,小体积低功耗
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出两款全集成新型接近传感器--- VCNL36821S和VCNL36826S,提高消费类和工业应用效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36821S和VCNL36826S分别在2.55 mm x 2.05 mm x 1.0 mm小型表面贴封装中集成红外(IR)发射器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管、信号处理IC和12位ADC。 与上一代器件相比,日前发布的接近传感器体积小,成本低,适用于空间有限的电池供电应用,如检测用户是否佩戴耳麦或虚拟现实/增强现实(VR / AR)头盔。器件探测距离3
[传感器]
Vishay的T59系列vPolyTanTM低ESR聚合物电容器荣获2017 ECN IMPACT奖
电子网消息,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其T59系列vPolyTanTM多阳极聚合物表面贴装片式电容器荣获2017 ECN IMPACT奖。此项评选活动由ECN杂志主办,颁发给在设计和工程领域的18个门类的顶尖产品和服务。Vishay的T59系列因提高了体积效率,减少了计算、通信和工业应用的元器件数量,节省PCB空间,降低整体解决方案的成本,从而获得“无源元件和分立半导体”类奖项。 T59系列电容器的体积效率比类似器件高25%,具有业内最高的电容密度。例如,T59电容器在30V下的电容为150μF,比最接近的竞争器件的电容高3倍。另外,电容器采用了专利的多阵列包装(MAP)和多阳极结构,
[半导体设计/制造]
Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
今天发布的器件适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器,以及通信砖式电源、太阳能微逆变器和无刷直流电
[电源管理]
Vishay调整第三季度预期,有可能小幅下降
旧金山—Vishay Intertechnology Inc.星期四(10月16日)调整了其第三季度收益预期,称预期收入调整为7360万至7420万,毛利率调整至21.4%到21.8%之间。
Vishay 之前曾透露其收入为7500万至7700万之间,毛利率大约为23.2%。 Vishay解释到,在第三季度收入的下降主要是由于全世界萎缩的终端市场决定的,且此形势在9月加速恶化, 除销售额下降之外,另外一些客户业务量减少导致了生产效率降低,从而影响了公司的毛利率。
Vishay计划在10月28日纽约证券交易所开盘之前的公布其第三季度业绩。
[电源管理]