恩智浦半导体（NXP Semiconductors）今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中 ......
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款翼式且采用4040封装尺寸的超薄、大电流电感器 --- IHLW-4040CF-11。IHLW-4040CF-11是为安装在分离(cut-out)PCB上而设计的，透过使用较大尺寸的部件，可为设计人员提 ......
0引言
在数字移动通信系统的设计过程中，经常采用跳频方法来提高通信系统的抗干扰、抗多径衰落能力。但这要求快速跳频系统中的超快速跳频PLL能够在几十微秒(μs)内稳定到所要求的相位和频率。为达到这个要求，可 ......
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过 ......
在工业控制中,用电设备通常使用三相电源作为工作电源。但工作电源经常会受到各种因素的干扰，从而产生电压波动，造成过、欠电压等状况。如设备或电器长期工作在该环境中，会受到极大程度的损坏。因此，电源保护器要能 ......
2008 年 12 月 1 日，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出自主 I2C 控制的高效率电源管理器、理想二极管控制器和锂离子/聚合物电池充电器 LTC4099，该器件用于诸如媒体播放器、数码相机、PDA、PND 和智能 ......
Analog Devices, Inc.最新推出业界最小的500 mA降压式稳压器——ADP2121，它是高频6 MHz DC-DC稳压器系列的首款产品。ADP2121采用1.3 mm× 0.9 mm WLCSP封装，仅有0.6 mm的超薄厚度，在500 mA的同类产品中尺寸最小。这款器 ......
2008年11月21日，安森美半导体(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mm ......
2008年11月20日，Intersil公司宣布，推出节省空间、降低成本、简化设计的高集成度功率转换模块ISL8201M。
ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案，在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET驱动器 ......
