3D TLC NAND Flash内存新时代 群联独步全球推出UFS 2.1芯片PS8311

3D TLC  NAND Flash内存新时代

群联独步全球推出UFS 2.1芯片PS8311

 【竹南讯，12月16日】

未来智能型手机旗舰机种对于更高速、超高画质影音的储存需求随着5G行动通讯、4K影音及虚拟现实 (VR) 等技术成熟已正式引爆！瞄准这波行动装置内存规格的新时代来临，全球闪存芯片领导企业群联电子正式宣布，新推出支持3DTLC的UFS 2.1闪存控制芯片PS8311，该芯片预计于2017年第一季正式量产出货。

群联电子同时也是国际闪存组织(UFSA) 的董事成员，群联电子董事长潘健成表示：「我们成功在eMMC /eMCP的行动装置内存市场上取得领先地位，因应内存原厂明年3D TLC 产能将全面开出并成为主流，群联电子率先推出符合JEDEC UFS 2.1规格的闪存控制芯片PS8311，支持多家大厂的 3D TLC，将可助力客户推出更贴近消费者一再要求更高速、更大容量行动储存需求的产品。」

潘健成进一步指出，「着眼于高阶智能型手机一线品牌客户对终端产品差异化的设计要求，群联电子除了首款UFS2.1控制芯片PS8311之外，2017年将再推出一系列的UFS芯片，提供各种不同规格的解决方案以完善产品线供客户选择。」

累积群联电子多年来的研发能量，PS8311透过独有的Strong ECC 错误修正技术、CoXProcessor架构、加上自行研发的M-PHY、UniPro、 UFS 物理层硅智财，在先进封装制程之下，可以提供客户多种行动内存解决方案，包括UFS记忆卡、嵌入式UFS、搭载DRAM的uMCP等。

UFS 为新世代的行动内存储存系统标准，可望取代目前主流的eMMC与eMCP，成为旗舰手机的标准配备。相较于 eMMC 标准，UFS 2.1 使用更快的串行接口，并支持全双工（FullDuplex）与命令队列 (Command Queue) 等新规格。PS8311 的实测序列读取速度足足比eMMC快了30％，同时在IOPS的表现亦远远超过eMMC，随机读取速度达28,500IOPS，写入速度为26,500 IOPS，相当于比eMMC快上了2至3倍，将行动装置用户体验提升到全新水平。

群联电子闪存控制芯片PS8311简述:

• 符合UFS 2.1、High-SpeedGear 3、单信道传输/双信道接口

• 支持 2D & 3D TLC、八组NAND 颗粒，容量最大达 256GB

• 独有的Strong ECC技术，相较于传统BCH ECC，达到节电7成、解碼效能提升3成、可强化并确保 3D TLC 可靠度

• 独有的CoXProcessor架构承袭PCIe架构的设计理念，可减少系统延迟、提升随机访问速度

• 自行开发M-PHY物理层，UniPro & UFS IP，掌握核心技术，提升设计弹性

• 3DTLC连续读／写速度达到 410/235 MB/s

• 3DTLC随机读／写速度达到 28.5K/26.5K IOPS