由于LED加工制造的特殊性,导致不同的生产厂家甚至同一个生产厂家在同一批产品中所生产的LED的电流、电压特性均有较大的个体差异。现以大功率1W白光LED典型规格为例,按照LED的电流、电压变化规律来做简要说明,一般1W白光应用正向电压为3.0-3.6V左右,也就是说,当标称为1W的LED在流过350毫安电流时,它两端的电压可能在3.1V,也可能在3.2V或3.5V也可能是其它值,为保证1WLED的寿命,一般LED生产厂家建议灯具厂用350mA的电流去驱动,当通过LED两端的正向电流达到350毫安后,LED两端的正向电压很小的增加,都会使LED正向电流大幅度的上升,使LED温度成直线上升,从而加速LED光衰,使LED的寿命缩短,严重时甚至烧坏LED。由于LED的电压、电流变化的特殊性,因此对驱动LED的电源提出了严格要求。
LED驱动电源是LED灯具的关键所在,它就好比一个人的心脏,要制造高品质的、用于照明的LED灯具必须放弃恒压方式驱动LED。
现在许多大功率LED封装厂将许多颗单个的LED通过并联和串联的方式将它们封在一起生产出了单个20W、30W或50W或100W甚至更高功率的LED,尽管在封装前这些单个的LED都严格做了挑选和配对,但由于内部数量少则有几十颗、多则几百颗单体LED,因此封装后的大功率LED成品在电压和电流上仍然有很大的差异,且相比单个的LED(一般单个白光、绿光、蓝光工作电压在2.7-4V,单个红光、黄光、橙光工作电压在1.7-2.5V)参数差异更大!(提醒刚上马的LED灯具厂对LED光源的封装品质可不能忽视)
当前很多厂家生产的LED灯类产品(比如护栏、灯杯、投射灯、庭院灯等),采用阻、容降压,然后加上一个稳压二极管稳压,向LED供电,这样驱动LED的方式存在极大缺陷,首先是效率低,在降压电阻上消耗大量电能,甚至有可能超过LED所消耗的电能,且无法提供大电流驱动,因为电流越大,消耗在降压电阻上的电能就越大,无法保证通过LED电流不超过其正常工作要求,设计产品时都会采用降低LED两端电压来供电驱动,这样是以牺牲LED亮度为代价的。采用阻、容降压方式驱动LED,LED的亮度不能稳定,当供电电源电压低时,LED的亮度变暗,供电电源电压高时,LED的亮度变亮些。当然,阻、容降压方式驱动LED的最大优势是成本低,因此目前仍然有部分LED灯具企业在采用这种方式。
有些厂家,为降低产品的成本,采用恒压驱动LED,同样带来了批量生产时每个LED发光亮度不均匀、LED不能工作于最佳状态等一系列问题。
恒流源驱动是最佳的LED驱动方式,采用恒流源驱动,不用在输出电路串联限流电阻,LED上流过的电流也不受外界电源电压变化、环境温度变化,以及LED参数离散性的影响,从而能保持电流恒定,充分发挥LED的各种优良特性。
采用LED恒流电源来给LED灯具供电,由于在电源工作期间都会自动检测和控制流过LED的电流,因此,不必担心在通电的瞬间有过高的电流流过LED,也不必担心负载短路烧坏电源。
采用恒流驱动方式,它能避免LED正向电压的改变而引起电流变动,同时恒定的电流使LED的亮度稳定,也便于LED灯具厂实施大批量生产时保证产品的一致性,因此众多厂家已经充分认识到驱动电源的重要性,许多LED灯具厂家已经放弃恒压方式,而选用成本稍高的恒流方式驱动LED灯具了。
有些厂家担心电源驱动板选用电解电容会影响电源的寿命,其实是一种误解,比如:如果选用105度,寿命为8000小时的高温电解电容,根据通行的电解电容寿命估算方式“每降低10度,寿命增加一倍”,那么它在95度环境下工作寿命为16000小时,在在85度环境下工作寿命为32000小时,在75度环境下工作寿命为64000小时,如果实际工作温度更低,那么寿命会更长!由此看来,只要选用高品质的电解电容对驱动电源的寿命是没有什么影响的!
还有一点值得LED灯具企业注意:由于LED在工作过程中会放出大量的热量,使管芯结温迅速上升,LED功率越高,发热效应越大.LED芯片温度的升高将导致发光器件性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效,根据实验测试表明:LED自身温度每上升5摄氏度,光通量就下降3%,因此LED灯具一定要注意LED光源本身的散热工作,在可能的情况下尽量加大LED光源自身的散热面积,尽量降低LED自身的工作温度,如果条件允许,最好能将电源部分与光源部分隔开,一味地追求小体积而忽视灯具及电源的工作温度是不可取的。
上一篇:浅谈LED照明技术缺点
下一篇:LED照明降压结构的实现
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:18
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC