就目前来看,市场上的白光LED其光衰可能是向民用照明进军的首要问题之一。什么原因导致了LED的光衰呢?一般来说,针对LED的光衰主要有二大因素:
一、LED产品本身品质问题:
1、采用的LED芯片体质不好,亮度衰减较快。
2、生产工艺存在缺陷,LED芯片散热不能良好的从PIN脚导出,导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。
二、使用条件问题:
1、LED为恒流驱动,有部分LED采用电压驱动原因使LED衰减过来。
2、驱动电流大于额定驱动条件。
其实导致LED产品光衰的原因很多,最关键的还是热的问题,尽管很多厂商在次级产品不特别注重散热的问题,但这些次级LED产品长期使用下,光衰程度会比有注重散热的LED产品要高。LED芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果,以及胶体和金线方面也都与光衰有关系。
三个影响LED灯具质量光衰的因素
首先,选择什么样的LED白灯。
这点很重要,LED白灯的质量可以说是很重要的因素。举些例子,同样的以晶元14mil白光段芯片为代表,用普通环氧树脂做的底胶与白光胶与封装胶水封装出来的LED白灯,单颗点亮在30度的环境下,一千小时后,衰减数据为光衰70%;如果用D类低衰胶水封装,在同样的老化环境下,千小时光衰为45%;如果C类低衰胶水封装,在同样的老化环境下,千小时光衰为12%;如果B类低衰胶水封装,在同样的老化环境下,千小时光衰为-3%;如果A类低衰胶水,在同样的老化环境下,千小时光衰为-6%。
其次,LED灯珠工作环境温度。
根据单颗LED白灯老化时的数据来看,LED白灯如果只有一个点亮工作,同时,它所处的环境温度是30度的话,那么,单颗LED白灯工作时的支架温度不会超过45度。这个时候,这颗LED的寿命会很理想。
如果有100颗LED白灯同时点亮工作,它们之间的间隔只是11.4mm的情况下,那么,灯堆的周边的LED白灯的支架温度也可能不会超过45度,但灯堆中间的那些LED白灯有可能达到65度的高温。这个时候,对LED灯珠就是一个考验。那么,聚在中间的那些LED白灯,理论上光衰就会快一点,而灯堆周边的LED白灯,光衰就会慢一点。
反正大家应该要知道,LED是怕热的,温度越高,LED寿命越短,温度越低,LED寿命越长。LED理想的工作温度当然是在负5到零度之间。但这基本上是不可能的。
所以,我们了解到LED灯珠理想的工作参数后,就尽可能的在设计灯具的时候,加强导热,散热的功能。反正温度越低,LED寿命越长。
再次,LED灯珠的工作电性参数设计。
根据实验结果,LED白灯在驱动电流越低的情况下,发射的热量越小,当然了,亮度也就越小了。据调查,LED太阳能灯饰电路的设计,LED的驱动电流一般只是5-10mA;灯具所用的灯珠数目具大的产品,如达到500个以上的,或更多的,驱动电流一般只是10-15mA,而一般大众化的LED应用灯饰的驱动电流,只是15-18mA,绝少有人把电流设计到20mA以上的。
而实验结果也表明,在14mA的驱动电流下,并且,加了盖子不透风,里面的空气温度达到71度的环境下,低衰产品,千小时光衰为零,2000小时光衰为3%,这就说明这种低衰LED白灯在这样的环境下使用已达到了它的最大限度,再大就是对它的一种损害了。
因为老化用的老化板没有散热功能,所以,LED工作时产生的热量基本上是没法传导到外面去的。实验上证明了这一点。老化板里面的空气温度已达到了101度的高温,老化板上的盖子表面温度只不过是53度,相差了几十度。这就说明,设计的这种塑料盖子基本上不具有导热散热功能。但一般的灯具设计中,都考虑到导热散热的功能。因此,总结来说,LED灯珠的工作电性参数的设计要根据实际情况,如果灯具的导热散热功能很好,LED白灯的驱动电流加大一点是没关系的,因为LED灯珠工作产生的热量瞬间能导出到外面,对LED没有损害,就是对LED最好的呵护了。相反的,如果灯具的导热散热功能马马虎虎,最好把电路设计得小一点,让它少放些热量出来。
上一篇:关于LED路灯光衰问题的探讨
下一篇:高效率LED照明≠高成本:LYTSwitch™-0帮你降低设计成本
推荐阅读最新更新时间:2023-10-17 15:46
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案
- 左手车钥匙,右手活体检测雷达,UWB上车势在必行!
- 狂飙十年,国产CIS挤上牌桌
- 神盾短刀电池+雷神EM-i超级电混,吉利新能源甩出了两张“王炸”
- 浅谈功能安全之故障(fault),错误(error),失效(failure)
- 智能汽车2.0周期,这几大核心产业链迎来重大机会!
- 美日研发新型电池,宁德时代面临挑战?中国新能源电池产业如何应对?
- Rambus推出业界首款HBM 4控制器IP:背后有哪些技术细节?
- 村田推出高精度汽车用6轴惯性传感器
- 福特获得预充电报警专利 有助于节约成本和应对紧急情况