我们知道,LED芯片有两种基本结构,横向结构(Lateral)和垂直结构(Vertical)。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,极少横向流动的电流,可以改善平面结构的电流分布问题,提高发光效率,也可以解决P极的遮光问题,提升LED的发光面积。
我们先来了解下垂直结构LED的制造技术与基本方法:
制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法:
一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。
二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。
三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层,优点是散热好、易加工。
制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构:
不剥离导电砷化镓生长衬底:在导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层,生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。
剥离砷化镓生长衬底:层迭反射层在GaP基LED外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括,砷化镓衬底,磷化镓衬底,硅衬底,金属及合金等。
另外,生长在硅片上的垂直GaN基LED也有两种结构:
不剥离硅生长衬底:在导电硅生长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层,生长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。
剥离硅生长衬底:层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上,在金属反射层上键合导电支持衬底,剥离硅生长衬底。
再简单说明制造垂直氮化镓基 LED 工艺流程:层迭反射层在氮化镓基 LED 外延层上,在反射层上键合导电支持衬底,剥离蓝宝石生长衬底。导电支持衬底包括,金属及合金衬底,硅衬底等。
无论是GaP基LED、GaN基LED,还是ZnO基LED这一类通孔垂直结构LED,相比传统结构LED有着较大的优势,具体表现在:
1、目前,现有的所有颜色的垂直结构LED:红光LED、绿光LED、蓝光LED及紫外光LED,都可以制成通孔垂直结构LED有极大的应用市场。
2、所有的制造工艺都是在芯片( wafer )水平进行的。
3、由于无需打金线与外界电源相联结,采用通孔垂直结构的 LED 芯片的封装的厚度降低。因此,可以用于制造超薄型的器件,如背光源等。
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推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:54
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