Python 5000: CMOS 图像传感器演示

1 移植需求 需求：在Arm9上运行python2.5.4。 ARM Target环境： S3C2410A & arm-linux-2.4.18，和 AT91SAM9261 & arm-linux-2.6.20。 host编译环境： RHEL5U3, gcc 4.1.2, arm-linux-gcc 2.95.3，arm-linux-gcc 3.4.4 需要cross compile的软件包： sqlite 3.6.14, python 2.5.4, boa-0.94.13. 2 交叉编译sqlite 先到 http://www.sqlite.org/download.html 下载最新的sqlite源

　　IBM实验室和柏林弗劳恩霍夫研究院（Fraunhofer Institute）合作，日前向外界展示了一款采用3D堆叠技术，并在芯片内部实现直接水冷散热的原型芯片。该芯片使用3D堆叠技术，将原本水平排列的半导体电路一层一层的堆叠在芯片封装当中，可大大提高半导体芯片内的晶体管数量，同时可将信号在芯片内的传输距离缩短1000倍，芯片内部传输通道扩展100倍。 　　但这样的设计也有缺点，层层堆叠的电路也让发热量迅速提高。试验中的芯片功耗已经接近1000W，而在4平方厘米的面积上，这几乎是散热片导热效率的10倍。因此，科学家不得不思考更加高效的散热方式。 　　科学家Brunschwiler和他的团队想到了一种惊人的方式，在芯

专为入门级、主流和高端监控摄像产品制造商提供高性能图像传感器的全球领先厂商 Aptina公司将参加 2011年中国国际公共安全博览会(安博会)。该展会始于1989年，在深圳市举办，是世界最大型的安保展览之一。 在展会期间，Aptina将展示面向监控市场的最新图像传感器产品，包括可在60fps 帧率下以宽动态范围 (WDR) 或非宽动态范围 (non-WDR) 模式提供720P/1080P 高清 (HD) 视频的传感器，以及采用 Aptina独特的A-Pix™和DR-Pix™技术的500万像素高性能图像传感器。此外，Aptina还将展示高成本效益的全新单芯片CCTV传感器系统级芯片(SoC)产品，可提供NTSC或PAL输出选择。

2016年9月12日-安立公司(总裁桥本裕一)日前宣布，将于2016年9月19日至21日德国杜塞尔多夫2016 ECOC展会上展示其信号质量分析仪MP1800A系列64 Gbaud PAM4 BER测试解决方案。 该展示将包括G0374A 64 Gbaud的PAM4 DAC， 其支持由下一代400GbE 标准所定义的53.125 - Gbaud PAM4传输及高达64 Gbaud的高品质PAM4信号测试。此外，MP1800A具有高输入灵敏度，支持400GbE 53.125 Gbaud BER测量，。G0374A 64 Gbaud PAM4 DAC将从2016年10月开始销售。 数据

    安森美半导体近日与其全球代理商艾睿电子(Arrow Electronics)推出用于宽广范围图像传感器应用的新参考设计。 这些参考设计采用安森美半导体的VITA图像传感器系列构建，基于Altera的Cyclone® III及Cyclone IV现场可编程门阵列(FPGA)。这些新参考设计使客户能够快速地在开放平台中开展新的成像设计，且在设计一旦投入运行时优化系统。它们应用于机器视觉、二维(2D)条形码、保安及智能交通系统(ITS)等市场。 Altera的Cyclone III及IV FPGA结合应用图像传感器处理模块(ISP)及Cyclone III开发套件中的NIOS II嵌入式处理器内核。这些ISP模块配以VIT

向您演示新型电荷耦合器件(CCD)图像传感器KAE-02150行间转移EMCCD芯片，1080p (1920 x 1080)的部分，在极暗光线下的图像。

    该1/5英寸图像传感器应用广泛，性能出众，支持拍摄高清视频     CMOS成像解决方案的领先提供商Aptina今天宣布推出MT9D015手机图像传感器。该1/5英寸200万像素图像传感器可以满足手机市场中智能手机主摄像头和前置摄像头在拍摄照片和视频方面日益增长的需求。该传感器的1.75微米像素使用最新的Aptina™ A-Pix™技术，能带来更佳的性能和更强的弱光敏感性。用作主摄像头元件时，新推出的这款传感器能提供与DSC相似的卓越图像捕捉性能，包括更短的延迟时间（每次拍照之间的间隔时间）和更佳的整体画质。用作手机前置摄像头元件时，该传感器能拍摄720p/30fps高清视频，为用户带来更佳的视频聊天体验。MT9D01

反向工程(reverse engineering)及系统分析公司Chipworks日前宣布，该公司分析了三星电子最新的S5K3BAF 200万像素CMOS图像传感器(CIS)模组。这是Chipworks首次发现运用了130纳米铜工艺的CIS技术。图像阵列的De-Metallized Zone(DMZ)结构消除了反射耐蚀层，提升了光学效率。 Chipworks技术情报部经理Gary Tomkins表示：“三星电子这套整合方案十分巧妙，把介电堆迭的图像阵列电介质进行解耦。它容许了外部电路更多金属的应用，保证了更高素质的晶体管整合及系统性能。除此之外，130纳米铜工艺允许应用MIM(金属-绝缘体-金属)电容器，以及有源像素传感器(