推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:09
HOLTEK推出BS82C16A-3 Flash触控单片机
Holtek推出新一代内建LED / LCD Driver的Flash触控MCU BS82C16A-3,BS82C16A-3支持16个触控按键,除了保有上一代的优点之外还比上一代触控MCU更省电,触控侦测的更新率更高,并且抗干扰的能力更好,而内建的LED / LCD Driver更俱备4段电流输出控制,可直推LED / LCD不须外挂限流电阻或三极管,大幅简化产品应用零件及降低成本,非常适合于俱备LED / LCD之小家电触控面板应用,BS82C16A-3同时也支持I2C / UART界面,可当主控IC亦可搭配主控MCU专门负责触控按键的侦测或LED / LCD的显示。 BS82C16A-3的特点在于工规 (-40℃ ~
[单片机]
STM32F4 内部flash驱动(寄存器操作)
stm32f4_flash.c /************************************************************************************************************* * 文件名: stm32f4_flash.c * 功能: STM32F4 内部FLASH编程驱动函数 * 作者: cp1300@139.com * 创建时间: 2013-10-20 * 最后修改时间: 2018-01-13 * 详细: 用于STM32F4内部flash读写驱动 2018-01-13:初始版本,默认位宽为32位,写入的数据必须32位对齐,供
[单片机]
技术文章—如何提升存储器良率
数据是人们生活中不可或缺的重要组成部分。受制于容量限制,人们往往需要定期地从设备上删除“无用的”文件以释放存储空间。然而,许多人并没有定期清理文件的习惯,这消耗了大量存储空间,并在更大程度上增加了人们对存储的需求。存储器的两种主要形式是 NAND flash 和DRAM。其中,DRAM是动态的、易变的,存取速度非常快,这使它非常适合于在短时间内存储数据。相反,NAND flash 是非易失的,这意味着它具有良好的保存能力,并且可以较好地用于人们对长期的低成本存储要求。随着电子消费市场需求的不断增加,更高的速度、更高的密度和更低的生产成本已经成为这两种存储类型的主要目标。 如果说降低成本是半导体产业不断向前发展的最大动力之一,那
[嵌入式]
从NAND Flash读取数据,把代码搬运到SDRAM运行
因为依赖于S3C2440的开机自动从Nandflash复制数据到片内SRAM执行,目前我们的可执行程序体积仍然不能大于4KB的限制。而我们的程序目前已经非常接近这个限制大小了,为了能够继续开发,必须突破这个限制。为此需要实现代码搬运功能,把程序从Nandflash搬运到SDRAM中去,并跳转到SDRAM执行。 本文为啥不实现NandFlash写? 因为对于我们的实现目前尚未需求。更重要的是,写操作涉及到擦除,更涉及到NandFlash寿命。为了减少写次数,延长NandFlash寿命,一般会在软件层实现写缓存。这就涉及到大量的代码,会偏离我们实验的主题--代码搬运。等以后确实需要保存数据到NandFlash时,再实现写功能不迟。
[单片机]
预警2011年NAND Flash市场:上半年恐供过于求
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门 DRAMeXchange 调查,虽然明年全球经济的复苏状况比市场原先预期稍缓,但先进国家市场的经济仍将持续复苏,明年下半年电子产业季节性旺季需求也可望比今年明显改善;在 NAND Flash 需求方面, 2011 上半年虽可能仍受淡季因素影响,而呈现供过于求的状况,第一季在中国农历年假期与平板电脑及智能手机新机种上市的助益下, NAND Flash 市场受淡季的影响程度将会低于第二季。 DRAMeXchange 指出,由于近期主要的 NAND Flash 厂商均已考量将稍微放缓明年产出成长的速度,以纾缓明年市场供过于求的影响,因此 2011 下半年在新产品上市及旺季效应需
[半导体设计/制造]
美光研发混合型DRAM-NAND存储
美光公司正在研发一款与DDR4相兼容的混合型DRAM-NAND存储条,欲以此为契机冲击数据处理领域一直以来由竞争对手的闪存缓存产品支撑的PCIe总线方案。 DDR4是一套由JEDEC(即电子元件工业联合会)推出的标准化规范,其每秒数据块传输量达到至少21亿个数据块(数据块的大小取决于内存芯片的字节长度),这样的性能表现令DDR3望尘莫及。根据EE Times发布的报告,美光公司有信心在18个月内将其混合型产品推向市场。 由硅材质打造的内存-闪存集合体将作为混合型动态直插式内存模块(缩写与常见的DIMM一致)投入使用,下图所展示的即为由三星公司推出的DDR4模块。 美光公司的混合型DIMM通过控制器芯片继承了高速DRAM与非易
[手机便携]
提高MSP430G系列单片机的Flash 擦写寿命的方法
在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备EEPROM。为了存储非易失性数据,MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息Flash,可用于存储非易失性数据,但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距,所以在实际应用中,这种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM,通过一定的软件处理算法,可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上
[单片机]
三星和东芝延续NAND闪存专利交叉许可协议
Samsung Electronics和Toshiba延长了与NAND闪存相关的交叉许可协议。 这两家公司是全球最领先的两家NAND闪存巨头,Samsung和Toshiba所占的市场份额分别为42%和29.3%。Hynix排名第三,占12.3%的市场份额。 2007年,Samsung和Toshiba就各自的专利技术展开交叉互换协议。 上个月,Samsung延长了SanDisk对其的NAND闪存许可,期限长达7年,并将为SanDisk生产一定数量的NAND闪存。据悉,Samsung每年要向SanDisk支付3.5亿美元的专利费。
[半导体设计/制造]