半导体参数测试的关键问题之一——探针的接触电阻

发布者:数字冒险最新更新时间:2011-12-07 关键字:半导体参数  接触电阻 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

通常,参数测试系统将电流或电压输入被测器件(DUT),然后测量该器件对于此输入信号的响应。这些信号的路径为:从测试仪通过电缆束至测试头,再通过测试头至探针卡,然后通过探针至芯片上的焊点,到达被测器件,并最后沿原路径返回测试仪器。

如果获得的结果不尽如人意,问题可能是由测量仪器或软件所致,也可能是其它原因造成。通常情况下,测量仪器引进一些噪声或测量误差。而更可能导致误差的原因是系统的其它部件,其中之一可能是接触电阻,它会受探针参数的影响,如探针的材料、针尖的直径与形状、焊接的材质、触点压力、以及探针台的平整度。此外,探针尖磨损和污染也会对测试结果造成极大的负面影响。 

测试信号的完整性需要高质量的探针接触,这与接触电阻(CRes)直接相关。接触电阻是随着信号电压的减小、接触压力的降低、以及新材料器件如砷化镓汲取了更多的电流,而对测量的影响越来越重要。

接触电阻即探针尖与焊点之间接触时的层间电阻。通常不能给出具体的指标,因为实际的接触电阻很难测量。一般,信号路径电阻被用来替代接触电阻,而且它在众多情况下更加相关。在检测虚焊和断路的时候,探针卡用户经常需要为路径电阻指定一个标称值。信号路径电阻是从焊点到测试仪的总电阻,即接触电阻、探针电阻、焊接电阻、trace电阻、以及弹簧针互连电阻的总和。但是,接触电阻是信号路径电阻的重要组成部分。

在实际使用中,探针的接触电阻在很大程度上取决于焊点的材料、清洗的次数、以及探针的状况,而且它同标称值相差较多。其中钨铼合金(97%-3%)的接触电阻比钨稍高,抗疲劳性相似。但是,由于钨铼合金的晶格结构比钨更加紧密,其探针顶端的平面更加光滑。因此,这些探针顶端被污染的可能性更小,更容易清洁,其接触电阻也比钨更加稳定。所以钨铼合金是一种更佳的选择。

触点压力的定义为探针顶端(测量单位为密耳或微米)施加到接触区域的压力(测量单位为克)。触点压力过高会损伤焊点。触点压力过低可能无法通过氧化层,因此产生不可靠的测试结果。

顶端压力主要由探针台的驱动器件控制,额外的Z运动(垂直行程)会令其直线上升。此外,探针材质、探针直径、光束长度、和尖锥长度都在决定顶端压力时起重要的作用。图1解释了触点压力和接触电阻的关系。从本质上来说,随着探针开始接触并逐渐深入焊点氧化物和污染物的表层,接触电阻减小而电流流动迅速开始。随着探针接触到焊点金属的亚表层,这些效应将增加。尽管随着探针压力的增强,接触电阻逐渐降低,最终它会达到两金属的标称接触电阻值。

 

涉及到探针的接触电阻的问题时,我们还需要考虑平衡触点压力(BCF),超量驱动,探针到探针的平整度,探针污染与清理等问题。

关键字:半导体参数  接触电阻 引用地址:半导体参数测试的关键问题之一——探针的接触电阻

上一篇:通过正确的步骤来实现精密的测量
下一篇:仅用万用表检测的集成电路检测方法

推荐阅读最新更新时间:2024-03-30 22:21

是德科技发布功率半导体模块动态参数分析仪——PD1550A
是德科技公司近日宣布,发布具有增强功能的下一代双脉冲测试仪(DPT)—— 功率动态参数分析仪PD1550A ,使客户能够比以往更快、更简单地测试功率模块。是德科技提供先进的设计和验证解决方案,旨在加速创新,创造一个安全互联的世界。 由于设计简单、高能量密度和可靠性的特点,功率模块被广泛应用于各种行业,如电动汽车(EV)、太阳能光伏、火车、家用电器和飞机。研发人员基于宽禁带(WBG)器件的特点,将快速切换开关,减小电力电子模块尺寸,并确保效率的优势延续至功率模块。然而,这也为测试宽禁带半导体功率模块带来了挑战,我们需要新的解决方案来正确评价这些产品,同时解决模块设计问题并缩短开发周期。 Keysight 的 PD155
[测试测量]
是德科技发布功率<font color='red'>半导体</font>模块动态<font color='red'>参数</font>分析仪——PD1550A
半导体参数测试仪的简介,分析它的特点以及作用
Agilent 4155B是新一代精密半导体器件参数分析仪。它拥有***的数字扫描参数分析仪, 可靠的测试仪,强有力的故障,分析工具,自动检查设施;幸免综合至同参仪器中。 新产品的设计目标清楚地瞄准为亚微米几何尺寸器件评估提供前所未见的精度和功能。 它是一种可灵活使用的仪器,无疑对从材料评价至器件性牟的表征,乃至最后封装等各 个阶段的部分检查和现场故障分析可提供诸多应用,以改进半导体器件的质量。 正确方案的抉择 Agilent 4155B设有四个内置源/监测单元(SMU),两个电压单元(VSU) ,两个电压监测单元(VMU),对于具有非开氏连接的基本半导体连接, 4155B可谓是***选择,分辨为10fA/1μV测量范围为
[测试测量]
小广播
添点儿料...
无论热点新闻、行业分析、技术干货……
最新测试测量文章
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved