世界级IT公司似乎已经形成一种惯例:如果哪个部门的业务出现亏损,往往采取"断臂疗法",比如,爱立信放弃手机制造,东芝割掉内存芯片,等等。放下包袱,轻装上阵,提升核心竞争力,不失为一种高明的策略。对于身体来说,失去条手臂并不妨碍其活动。但对于手臂,失去了身体的保护,手臂将丧失活力,奇梦达就像一条可怜的手臂。
1999年,舒马赫博士带领西门子半导体集团从西门子公司旗下拆分出来,更名为英飞凌科技,并于2000年成功在德国上市。在他的领导下,英飞凌科技成长显著,由全球第十九位攀升至第四大半导体公司,且连续数年在全球二十大半导体公司中保持最快速的增长。德国人似乎找到了一条解决半导体公司通病的药方,就是巀(古语截)。他却无法帮助英飞凌剥离亏损的DRAM业务,只好无奈选择急流勇退。而接替他上任的沃尔夫冈齐巴特,也由于在DRAM上的分歧于2008年辞职。DRAM业务成了英飞凌CEO的噩梦,当断不断反受其乱,正是由于一直以来对于DRAM的犹豫不决,造成了英飞凌利润额的大幅度下滑。
从2006年5月1日起,奇梦达以全球第四大DRAM厂商的强有力市场地位开始运营,并且为未来的增长作好了准备。新公司将在三大洲运营五个300mm晶圆制造基地及五个主要的研发设施,其中包括在德累斯顿的领先研发中心。奇梦达是300mm晶圆生产的领导者,而且是PC及服务器市场DRAM产品的领先供应商。公司成功地将产品延伸到图形,移动通讯和由低功率沟槽技术引导的消费类领域。奇梦达通过由90nm向75nm技术规范的快速转移以加速生产效率,在全球拥有约12,000名雇员。
但事实上奇梦达自从内存市场竞争过于激烈开始,内存业务就一直在亏损。2008年上半年完全是内存厂商的噩梦,DRAM平均销售单价下降造成连续5个季度出现营业亏损。而其排名也从18位下降到30位,其他DRAM厂商诸如尔必达,飞索,力晶及南亚也都出现不同程度的下降。
现在很多问题已经不仅仅是剥离奇梦达了,而是英飞凌如何将自己剩余股份沽出,还有更甚者提出彻底关掉奇梦达。事实上此举对于帮助英飞凌重振其余业务部门是必要的,同时也有助于改善整个产业DRAM供过于求的情况。
伦敦市场研究公司Future Horizons CEO Malcolm Penn称,由于市场供应过剩和严峻价格问题,英飞凌为其77.5%的奇梦达股份找到买家不是一件容易的事。
他甚至宣称“任何一家公司购买奇梦达,绝对不是商业、市场、业务、技术或竞争的原因,” “即使你支付别人钱,让他拥有奇梦达,这个受赠人只有疯了才会考虑。”
英飞凌希望能完全撤出英飞凌在2007年9月出售了奇梦达的部分股份,但同时可以看到,这样做是处于净亏损8400万欧元的情况下。
关闭奇梦达可以帮助英飞凌迅速结束亏损,虽然英飞凌需要处理奇梦达超过1.3万的下岗雇员。此外,英飞凌未必能够很容易地处理奇梦达的财产。
随着DRAM价格以每季度两位数的暴跌,在2007年9月30日结束的财年,奇梦达毛利润大跌2/3以上,为3.11亿美元,而前一财年毛利润为9.73亿美元。分析师预计奇梦达2008年营收将从2007年的52亿美元下滑至48亿美元。他们预计该公司2008年净亏损为每股5.57美元,多于2007财年的每股亏损0.97美分。
除非供大于求的局面得到校正,否则DRAM价格的回复将不会出现。Future Horizons的Penn建议应该有一或两个供应商退出该业务。
内存领域对于所有半导体公司来说都是噩梦,曾经的Intel也是从内存转向CPU之后才成就了自己卓越的成就,金星在亚洲金融危机关键时刻也是输在了内存上,现代则将海力士剥离,只有三星在内存厂商中属于霸主地位。
其实今后内存市场前景还是很乐观的,目前某些大厂商凭借雄厚资本不惜成本的打压、洗盘,意图垄断整个市场。而奇梦达则因为仅仅是一条手臂得不到身体的支持,从而下滑幅度巨大。
目前奇梦达已大规模裁员,进军非PC内存产品,并且进军太阳能电池市场,为的就是减少DRAM亏损压力。
上一篇:美国无线电公司:一招棋错全盘皆输
下一篇:大宇电子:皮之不存毛之覆焉
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:42
- 热门资源推荐
- 热门放大器推荐
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案
- 左手车钥匙,右手活体检测雷达,UWB上车势在必行!
- 狂飙十年,国产CIS挤上牌桌
- 神盾短刀电池+雷神EM-i超级电混,吉利新能源甩出了两张“王炸”
- 浅谈功能安全之故障(fault),错误(error),失效(failure)
- 智能汽车2.0周期,这几大核心产业链迎来重大机会!
- 美日研发新型电池,宁德时代面临挑战?中国新能源电池产业如何应对?
- Rambus推出业界首款HBM 4控制器IP:背后有哪些技术细节?
- 村田推出高精度汽车用6轴惯性传感器
- 福特获得预充电报警专利 有助于节约成本和应对紧急情况