推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 14:50
中芯国际创始人张汝京去徐州做氮化镓了?本人回应
日前有公众号发布了《8000万颗GaN项目出炉!中芯张汝京加入》一文,其中提到中芯国际创始人张汝京博士进入了这个第三代半导体项目,不过已经被张博士辟谣,否认参与该项目。 报道中提到,12月1日,宏光半导体发布公告称,他们完成了一项配售协议,获得了大约8620万港元(约7000万人民币),其中,预计將约6430万港元用于加强快充、GaN设备及相关半导体产品的研发能力。 公告还提到,宏光半导体已经着手在徐州经开区新建一家GaN新工厂,并在工厂内安装一条用作生产GaN等相关产品生产线,不久将进一步升级至全自动芯片运作,计划年封测氮化镓电子器件8000万颗。 据公告,宏光半导体引入了超强氮化镓团队,核心成员包括陈振博士、吕瑞霖先
[半导体设计/制造]
海洋光学纳米海绵状SERS芯片全新上市
2016年8月19日,近日,英国豪迈旗下的微型光谱仪的领导者海洋光学发布了一款全新 纳米海绵状SERS芯片 。该芯片具有更低背景噪音、更高激光功率承受力、更宽泛波长激光选择与更长货架存放期,实属拉曼增强的理想选择。同时,还提供各种不同波段范围的拉曼模块和ID Raman系列(包括638nm的拉曼系列)。
纳米海绵状 SERS 芯片的优势
更低的背景噪音:这对非常低浓度物质的拉曼分析非常有利;
高激光功率承受能力:有别于之前发布的纸质基板的SERS芯片,这款金属/玻璃基底的SERS芯片能承受功率非常高的激光入射(为了提高拉曼信号强度),而样品的性能不会发生改变;
适用于不同波长激
[测试测量]
中芯国际、灿芯和CEVA力推DSP硬核及平台
该合作协议旨在面向包括通信、连接性、图像、视觉、音频和语音一系列的应用,利用CEVA DSP核心加快客户设计进程。 国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商 -- 灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业——中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”,纽交所代号:SMI,港交所代号:981)以及CEVA公司(纳斯达克证券交易所代码:CEVA)——领先的IP平台解决方案和数位信号处理器(DSP) 核心授权商,今日联合宣布:三方将共同开发CEVA DSP硬核,为客户降低研发风险、缩短SoC项目的设计周期。根据协议,灿芯半导体取得一系列基于中芯国际工艺的CEVA D
[嵌入式]
中芯国际:第二代FinFET已经进入小量试产
12月4日,有投资者在互动平台提问“请问近来公司7纳米产品生产研发进展如何?在国内外将产生怎样的影响?”对此,中芯国际回复“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度进入量产,第二代FinFET已进入小量试产。” 据集微网2月报道,在中芯国际2019第四季度财报会议上,梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。 梁孟松博士透露,中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。所以在功率和稳定性方面,N+1和7nm工艺非常相似,唯一区别在于性能方面,N+1工艺的提升较小,市场基准的性能提升应该是35%。所以,中芯国际的N+1工艺是
[手机便携]
研究人员发表可不受纳米管扭结影响的电路设计方法
来自美国Standford大学的研究人员发表了一种电路设计的新方法──能让电路在其中很多纳米管(nanotubes)被扭曲或者没有对准(misaligned)时,仍然能够运作。
纳米管往往会随着不可预测的扭结(kink)而生长,并且会因弯曲造成有害的布线连接。Standford研究人员假设工程师因此必须设计出一种无须考虑纳米管在哪里以及如何放置,都一样能工作的电路。
研究人员想到采用一种单电路组件(single circuit element)──即一种NAND闸;它不会受到其基本纳米管布局变异性的影响。他们从这种单元件撷取和生成了数学公式及算法,据说尽管会出现没有被对准的纳米管,这种算法能保证对任何电路组件都能获得有
[焦点新闻]
AMD移动处理器明年第二季将跨入65纳米时代
10月11日消息 据消息人士透露,AMD移动处理器产品线主体将在2007年第二季跨入65纳米时代。被称之为“Revision G”的这次升级将增加CPU板载存储控制器对双通道DDR2-800内存的支持。 据DigiTimes在一篇报道中引用笔记本电脑制造行业消息人士的话称,AMD首批采用65纳米工艺的移动产品将是代号为“Tyler”的Turion 64 X2双核芯片和代号为“Sherman”的Mobile Semprons单核芯片,前者功耗为35W,后者功耗为25W。 这些芯片在接口上将 采用 AMD的638针Socket S1。报道中没有披露它们的时钟频率。 消息人士称到2008年第一季度,AMD移动处理器全线产品都将过渡到6
[焦点新闻]
中芯国际2008年Q4净亏1.245亿美元
中芯国际今天发布了截止2008年12月31日的2008年第四季度财报。报告显示,中芯国际第四季度总营收同比下滑31.1%至2.725亿美元;净亏损为1.245亿美元。
主要业绩:
-中芯国际2008年第四季度营收为2.725亿美元,比上一季度下滑27.5%,同比下滑31.1%,主要是由于晶圆出货量下降25.1%;
-中芯国际2008年全年非记忆体晶圆销售额年度增幅14.3%,来自中国区的销售收入年度增幅28.0%;
-中芯国际2008年第四季度的毛利润率为-27.4%,2008年第三季度的毛利润率为7.2%;
-中芯国际2008年第四季度净亏损1.245亿美元,2008年
[焦点新闻]
创意电子推出90纳米ARM926EJ测试芯片UTP0010A
创意电子(Global Unichip,GUC)日前推出90纳米ARM926EJ硬核(hard-macro)及其测试芯片(testchip)UTP0010A,为客户大幅缩短系统设计的建构时间,并为ARM核心整合的过程降低许多风险。
UTP0010A以可合成的ARM926EJ-S核心码(synthesizable core)设计而成,协助客户在发展90纳米系统级芯片(SoC)的相关产品,譬如低耗电手持装置、视频编码/解码及网络通讯应用等方面,达到缩短流片时间(Time to tapeout)和加速上市时间(Time to market)的目标。 UTP0010A采用台积电(TSMC)90纳米低功率(LP)工艺技术,性能表现最高
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