高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布荣获全球领先的端到端产品生命周期解决方案供应商 Celestica公司颁发2009年总体拥有成本 (Total Cost of Ownership, TCOOTM) 供应商奖项。有关奖项是表彰支持Celestica的TCOO 采购战略并为其产品提供尽可能好的供应链解决方案的供应商。
飞兆半导体全球电子制造服务商 (EMS) 部门副总裁Andrea Mirenda称:“我们非常高兴获得Celestica颁发的供应商奖项。帮助客户取得成功是飞兆半导体的重要前提,而这一奖项正好确认我们配合Celestica的战略交货期管理目标而作出的努力。我们期待继续与Celestica密切合作,并致力于提供高品质产品和卓越的供应链管理,以推动终端产品的差异化。”
今年是Celestica第四年颁发TCOO供应商奖项。Celestica通过公司的TCOO体系考核供应商在质量、交货、技术、服务、价格和灵活性等指标,从而度量供应商在发票价格以外的制造、付运和支持产品与服务的总体成本,以评测供应商的表现,并颁发奖项表彰Celestica超过3000家全球供应商中表现卓著的企业。
Celestica首席采购官Harvinder Sembhi称:“我们热烈祝贺飞兆半导体获得2009 TCOO供应商奖项,并诚挚地感谢飞兆半导体支持Celestica的供应链战略,帮助我们提升供应链的速度、灵活性和响应能力。”
关键字:飞兆半导体 Celestica 总体拥有成本供应商奖
编辑:于丽娜 引用地址:飞兆半导体获Celestica颁发总体拥有成本供应商奖
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英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议
英飞凌科技股份公司今天宣布,公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月,英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可,双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议,飞兆半导体将向英飞凌支付许可费,但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。
作为半导体行业的全球领袖,英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为,这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。
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飞兆半导体在electronica 2010展会上重点展示智能电网技术
高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在electronica 2010 (慕尼黑电子展)上演示其便携应用的最新技术进展,以及针对智能电网应用的功率解决方案。
electronica 2010将于11月9至12日在德国慕尼黑举办,飞兆半导体公司将在Hall A4第506号展台上演示实现移动连接性,以及用于电源(AC/DC和DC/DC)、移动、LED照明、马达、太阳能、计算、消费电子和汽车应用的优化电能使用技术。
飞兆半导体的高性能半导体产品能够帮助设计工程师开发高能效的电子应用,在展会上,公司将提供20多款涵盖功率、移动和封装解决方案的演示,包括
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飞兆半导体推2 x 2(mm)绿色MLP封装IntelliMAX系列 散热性能提升达45%
FPF214X 和FPF216X系列MLP封装的先进负载开关提供全面的系统保护功能 用于工作电压在1.8V和5.5V之间的无线、移动和个人电子产品中
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出FPF214X 和FPF216X系列IntelliMAX 先进负载开关,具有出色的热性能和全面的系统保护功能,适用于工作电压在1.8V 和5.5V之间的便携式产品应用。全新系列产品以绿色标准的 2mm X 2mm MicroFETTM MLP 封装供货,与传统的 SOT-23 封装相比,散热性能提升达 45%。这些高度集成的先进负载开关通过集成 0.11Ohm 限流 P 沟道 MOSFET 和多种保护及控制
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飞兆半导体提供高能效LCD TV解决方案
飞 兆半 导 体公司 (Fairchild Semiconductor) 位于日本的全球功率 资 源 (Global Power Resource SM) 设计 中心 现 已 开发 出一款效率达到 90% 的 LCD TV 设计 。新 设计 通 过 使用高集成度的 FAN5069 和 N 沟道MOSFET 产 品, 将 传统 的四 层 PCB 板减少至两 层 。 该 FAN5069 在 单 一封装中 集成了一个脉 宽调 制 (PWM) 控制器和一个低 压 降 (LDO) 线 性 稳压 器,在 宽 泛的 负载电 流范 围 提供高效率。通 过 使用具有低 RDS(ON) 的低 边 MOSFET来感 测电 流,
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飞兆半导体MicroFET™采用薄型封装
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
相比传统MOSFET器件,FDFMA2P859T具有出色的功率耗散和传导损耗特性,且其封装高度为0.55mm,比行业标准0.8mm MicroFET降低了30%,适用于在最新的便携式手机、媒体播放器和医疗
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飞兆半导体推出采用UMLP封装的USB 2.0开关
在多种电子应用中提供业界领先的数据传输率和节省线路板面积特性
FSUSB30 具有目前最高的带宽与 ESD 保护性能
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出一款USB 2.0开关 -- FSUSB30,在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中,能够最大程度地节省线路板空间,并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小 (1.4mm x 1.8mm x 0.55mm) 的UMLP封装中集成了业界领先的带宽 ( 720MHz)、低导通电容 (6pF) 以及最高的ESD保护 (8kV) 功能,从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。FSUSB30甚至在最小尺寸的
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飞兆半导体增强型CLASS-D放大器
消费者对响亮清晰的扬声器音频的要求,推动了对于更长电池使用时间和高效率的需求,这成为设计人员在便携产品设计中实现“让小型扬声器更响亮清晰”的目标时所面对的两项挑战。
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)以其不断增长的领先音频IP解决方案、世界级供应链,以及作为便携产品制造商所公认的领导增值供应商的地位为基础,开发出带有集成升压稳压器和电池自动增益控制(AGC)功能的。2.3W Class-D音频放大器。
FAB3103适用于手机、智能电话、平板电脑以及便携式媒体播放器,它集成升压稳压器,可以使用3.6V锂离子电池实现2.5V至5.2V电源电压范围的大功
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飞兆半导体Class-G耳机和Class-D扬声器放大器
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出带有立体声Class-G耳机放大器和Class-D扬声器放大器的FAB2210音频子系统,助力智能手机和便携媒体播放器等移动产品的设计人员实现更好音质。
FAB2210 在单一IC封装内结合一个无电容器立体声Class-G耳机放大器和一个Class-D无滤波器单声道扬声器放大器,实现出更好的音质,更低的功率耗散,带来更长电池寿命。该器件还具有噪声门限技术,可在低输入信号时自动将扬声器或耳机放大器静音以减小噪声;而自动增益控制(Automatic Gain Control, AGC)功能则能够改进音质和提高扬声器保护。要了
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