士兰微电子内置高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854-电子工程世界

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杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置650V高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854。该产品带有可编程的线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。
SD6853/6854是离线式开关电源集成电路，内置高压MOS管、带有线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器，采用了士兰微电子自主知识产权的专利技术。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压，间接控制系统的输出电压和电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。在一定的输出功率范围内，可通过反馈电阻设定输出电压；可通过峰值电流采样电阻设定输出电流。也可以根据需要设置线损补偿和峰值电流补偿，以达到最佳的输出电压、输出电流的调整率。
正常的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：当MOS管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，输出电容对负载供电，输出电压VOUT下降；当原级线圈的电流到达峰值时，MOS管关断，检测FB端电压，存储在次级线圈的能量对输出电容充电，输出电压VOUT上升，并对负载供电。当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS管才开启，芯片再次进入峰值电流检测。
此外，芯片内部集成了温度保护电路，环路开路保护、限流电路、过压保护、欠压锁定等多重功能电路，以保证芯片的工作环境正常，延长其使用寿命。
目前，SD6853提供4.0W输出功率（5V /800mA），SD6854提供5.0W输出功率（5V /1A），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28线缆），待机功耗小于100mW，输出电压的负载调整率优于±4.0%，输出电压的输入线电压调整率优于±0.6%，整机对空气的ESD能力大于±15KeV。后续SD6853提供输出功率范围可达到3W~5W，SD6854提供输出功率范围可达到5W~12W。
SD6853/6854基于士兰微电子自行研发的0.8微米BiCMOS/BCD工艺制造，采用了内置高压MOS管的DIP-8A封装形式，具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。采用SD6853/6854设计整机系统，无需光耦和Y电容，可省去次级反馈控制、环路补偿，仅需极少的外围元器件即可构成完整的电源系统，大幅节省了系统耗电并缩小了电路板体积，有利于用户精简设计布局，降低开发和制造成本。
小型充电设备今后的发展趋势是更低的低待机功耗和更高的能量转换效率，士兰微电子将持续在该领域投入研发力量，不断推出新品。预计2012年上半年将推出升级版SD6852/6853/6854，满足能源之星2.0标准、LEVEL 5规格的电路，待机功耗小于30mW，平均效率可以达到70%。

关键字：开关电源SD6853 编辑：eric 引用地址：士兰微电子内置高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854

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士兰微电子内置高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854

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