1 引 言
低压差线性
2 LDO工作原理
图1是低压差线性稳压器的工作原理示意图。
误差放大器一端接基准电压Vref,另一端联接反馈回路,输出端连接调整输出管Mp。通过比较和放大基准电压与反馈电压的差值来控制调整管的栅极电压,以此控制通过晶体管的电流,使电路达到一个稳定地输出电压。
3 误差放大器和缓冲级设计
3.1 简介
图2为电路原理图。
图2中Vref为基准电压输入;Vfb为采样电压反馈接人端;Vbh,Vbl分别为高低电平偏置;Vout为输出电压反馈。Vo接PMOS调整管栅极。误差放大器比较采样电压Vfb和基准电压Vref,从而改变输出电压Vo,控制调整管的输出电流,实现电压的稳定输出。
M81,M82为差分对输入管。M105,M106为电流镜,作差分对管的负载。M88,M89为尾电流源,分别为差分对管提供偏置电流。R20为差分对管的差分交流电流提供流向地的途径,即R20无共模电流流过,其中点为交流地。Q1,Q98,Q93,Q95,Q9构成电流缓冲器,为调整管栅电容提供大的充放电电流。同时也提高调整管栅极节点的极点频率,即由1/(Roa×Cgs)提高到1/[(2/g)×Cgs],Roa为误差放大器输出电阻,Cgs为调整管的栅极电容,g为Q98,Q9跨导。利用C4,C5两个电容两端电压不能突变的性质,使Q98,Q9的基极电压的变化保持一致,使电路更加稳定。
对于直流或低频Vout信号,M83~M86不会引起压差放大器输出信号的变化。但由于旁路电容C1使M83的源极高频短路,对于Vout信号的快速变化,M83~M86将在压差放大器的输出端产生很大的非平衡交流电流,从而造成较大摆幅的输出电压变化。这大大提高了压差放大器对高频或快速变化的Vout信号的响应速度。
C3与M81的源极和缓冲级中的Q98的基极相连。对于大信号,如果将共源连接的M81管看作是共漏连接(电压缓冲),则M81的源极电压随Vfb信号变化;如果忽略Q1,Q95的射极电阻的影响,则C3与C4,C5可看作是电容分压连接,故其中点(Q98基极)电压,也将随Vfb信号变化。对于快速变化的Vfb信号,C3提供了一条由反馈信号到调整管栅极的快速传播路径,而且由于该路径将压差放大器旁路,该路径对反馈信号无增益,避免了由于对调整管的过分的开关控制造成的输出电压在瞬态的上冲和下冲。
3.2 共模抑制比(CMRR)
在共模信号下,假设M81有动态电流i1,则i1经电流镜映射到Y节点的电流为i2;而M82在共模信号下,有动态电流i3到Y节点,在忽略背栅效应、沟道调制效应等二级效应和电路失配的情况下,i2与i3相等,即Y节点无净动态电流,故共模信号不引起输出电压的变化。
在实际电路中,由于各种非理想情况,如电流镜的失配,差分管跨导的失配等,共模信号会引起输出电压的变化。为简化分析,这里将各种失配集总为电流镜M105,M106跨导的失配△g,若M105的跨导为g,则M106的跨导为g+△g,并令输出节点Y的阻抗为ro,M88,M89的输出阻抗为r1,差分管跨导为g1,有:
在差模信号状态下,令M81,M82的跨导g1,M106,M82的输出电阻为ro106,ro82,则差分对的跨导为:
4 仿真及分析
图4为快速响应仿真,可以发现对于Vout信号10 mV的上跳和20 mV的下跳,误差放大器的输出电压有上百毫伏的跳变。因此对于输出电路较小的变化,可以很快地传输到误差放大器的输出,从而调节传输管。
图5为加电容C3前后(左图为无C3,右图为有C3),负载电流发生50 mA跳变时,系统输出电压的变化。对照两图,可以看到,当无C3时,输出电压发生了振荡,而加入C3后,输出电压单调变化。图6为误差放大器的幅频和相频响应曲线。
5 结 语
本文根据LDO稳压器的结构特点,设计了一种快速响应通路,通过对高频或快速变化的输出电压反馈,使误差放大器输出一个大的电压响应。该电路具有响应速度快、稳定性好的特点,可广泛应用于不同的低压差线性稳压器。■
上一篇:TMS 32OF2812与DIP-IPM的通用电路设计
下一篇:新型模块UPS应用特征与模块高效BUS电源设计方案
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:15
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案
- 左手车钥匙,右手活体检测雷达,UWB上车势在必行!
- 狂飙十年,国产CIS挤上牌桌
- 神盾短刀电池+雷神EM-i超级电混,吉利新能源甩出了两张“王炸”
- 浅谈功能安全之故障(fault),错误(error),失效(failure)
- 智能汽车2.0周期,这几大核心产业链迎来重大机会!
- 美日研发新型电池,宁德时代面临挑战?中国新能源电池产业如何应对?
- Rambus推出业界首款HBM 4控制器IP:背后有哪些技术细节?
- 村田推出高精度汽车用6轴惯性传感器
- 福特获得预充电报警专利 有助于节约成本和应对紧急情况
- 帮你划重点 透过进博会看热门汽车技术
- 为汽车四化做准备 美国汽车测试技术展秀出多种新技术
- Qorvo推出新型电源应用控制器,适用于无刷直流电动工具
- 贸泽电子开售 TI TPS3840 系列Nanopower高输入电压监控器
- Tyrata推新传感器系统 在车辆驶过时可快速测量胎面深度
- 英伟达推AI解决方案 可根据实际情况控制车辆远光灯防眩目
- 普渡大学制纳米链电极 增加电池容量/缩短充电时间
- dSPACE开发高性能仿真环境 用于验证自动驾驶汽车传感器系统
- Diodes推出符合汽车规格之线性稳压器,可提供高 PSRR 及低静态电流
- SCHURTER推出高达1000 VDC 的新能源汽车保险丝 AEO 10.3x38