意法半导体（ST）发布最新功率技术，让工业设备和基础设施更加节能环保

中国，2013年5月24日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出能够降低电信系统、计算机系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用设备的环境影响的新一代高能效功率器件。

意法半导体全新STripFET™ VII DeepGATE™ MOSFET 在当前市场销售的80V和100V功率晶体管中拥有最高的导通效率，同时提高了开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的器件满足系统功耗和能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。

增强的MOSFET栅结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要进步，降低器件通态电阻的同时还降低了内部电容和栅电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏器件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。

现在可订购的STripFET VII DeepGATE样片或产品超过15种，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT™ 5x6和2针脚或6针脚H2PAK封装。如需大量订购，请联络意法半导体销售办事处。

关于意法半导体MOSFET和电压额定值：

STripFET VII DeepGATE是意法半导体强大的MOSFET技术家族的新成员，在各种应用使用的主要电压额定值下，提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于直流电压驱动的电气系统，如电信设备广泛使用的48V直流电压。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系统中常见的过压电涌。优异的可靠性让STripFET VII DeepGATE还可用于12V或24V汽车电子应用。

工业电源还需要像MDmesh™ 超结技术一样的功率技术，因为此项技术在较高电压额定值时能效十分优异。600V或650V MDmesh器件为交流－直流电源、照明镇流器和显示器提供适合的安全裕量。意法半导体近期发布的全新高能效MDmesh产品系列以低栅电荷为特色，适用于谐振型功率转换器，如液晶电视电源（MDmesh II Low Qg）。
详情请访问 www.st.com/pmos

关于意法半导体
意法半导体（STMicroelectronics；ST）是全球领先的半导体解决方案供应商，为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术，到数字信任和数据安全，从医疗健身设备，到智能消费电子，从家电、汽车，到办公设备，从工作到娱乐，意法半导体的微电子器件无所不在，在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活（life.augmented）的理念。