安森美推出两款新的MOSFET器件使电池使用时间提升至极致-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。

这两款器件符合RoHS指令，适合于单节及双节锂离子电池应用，提供领先业界的导通阻抗 (RDS(on))性能水平，使用平面栅格阵列 (LGA) 结构，以提供小型的低高度设计，使其适合用于通常空间受限的智能手机及平板电脑应用。EFC6601R的额定最大源极至源极电压 (VSSS) 为24伏 (V)，EFC6602R的额定最大VSSS为12 V。两款器件都采用2.5 V供电电压工作，采用共漏极结构，包含内置保护二极管。

安森美半导体的三洋半导体产品部 MOS 产品总经理秋庭隆史说：“自从锂离子电池面市以来，安森美半导体一直在开发及提供充电/放电保护电路开关 MOSFET。我们积累的专知和技术使我们能够开发出这些微型器件，更进一步延长电池使用时间及提升能效。”

安森美半导体计划在年内再增添5款EFC系列MOSFET器件，帮助从事更宽广范围的移动设备设计人员实现减小方案尺寸及延长电池使用时间的应用目标。

封装及价格
EFC6601R及EFC6602R采用无卤素EFCP封装，每5,000片批量的单价分别为0.80 和1.00美元。

编辑：huimin 引用地址：安森美推出两款新的MOSFET器件使电池使用时间提升至极致

上一篇：英飞凌推出具备低动态电阻和超低电容的TVS器件
下一篇：Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族