可控硅击穿的原因

最新更新时间:2014-08-08来源: 中国电力电子产业网关键字:可控硅 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

主要有以下三点:

  1、过压击穿:

  过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可 控硅两端一定要接入 RC 吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。

  2、过流与过热击穿:

  其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到 175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下,只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的,因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的,而温度升高的过程是需要一定时间的,所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。

  3、过热击穿:

  这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生 的热击穿,发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控 硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的,主要检查进水温度是否过高 (一般要求水温应在 25℃以下,但最高不能超过 35℃),流量是否充足;对于采用 风冷方式工作的,应检查风扇的转数是否正常,还有环境温度也不能太高等,但无 论是风冷的还是水冷的,如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话,安装时要注 意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触,接触面要平整,不能有划痕 或凹凸且不能有灰尘夹入,还要保证有足够且均匀的压力,特别是对水冷的可控硅, 三个螺栓的拉力一定要均匀,并且还要经常检查和清理水垢,水垢太多也会影响散 热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影 响散热效果,如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话,就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。

关键字:可控硅 编辑:探路者 引用地址:可控硅击穿的原因

上一篇:浅谈开关电源和线性电源的区别
下一篇:浅析影响DC-DC转换器效率的主要因素

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:43

双向可控硅测试指南
 双向可控硅是双向交流开关,可以在最高600V电压下控制高达25A rms电流的负载。它们用于电机速度、加热器和白炽灯的控制。逻辑型双向可控硅对微控制器驱动器件尤有吸引力。微控制器输出端口可以直接驱动一只双向可控硅,因为可控硅的触发电流只有3~10mA。与所有电子器件一样,双向可控硅也存在一些内部问题,在将其用于某个设计以前可以检测这些问题。 图1,双向可控硅测试仪用一只开关转换测试信号的极性。   图1是一个简单而成本低廉的测试设备,它可测试Littelfuse公司的L2004F31、L2004F61、L2004L1和L4004V6TP双向可控硅,也可以用于测试任何其它的引线式双向可控硅,因为
[测试测量]
双向<font color='red'>可控硅</font>测试指南
自己总结的可控硅判断引脚及好坏 很实用
1. 单向可控硅的检测。 万用(指针万用表)表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为几十欧姆(30欧左右)左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 2.双向可控硅的检测 万用(指针万用表)表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,其中只有一组表笔互换两引脚都有电阻值且一个大一个小都为几十欧(两
[测试测量]
东芝推出加强绝缘型三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)的加强绝缘型三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器阵容中新增了一款600V NZC三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器“TLP265J”和一款600V ZC三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器“TLP266J”。新产品采用SO6双模封装,隔离电压为3750Vrms(交流电,1分钟)的加强绝缘。它们的爬电距离和间隙距离为5mm(最小值),并获得了UL、cUL和VDE认证。在电气特性方面,这些产品支持高达7mA的触发LED电流(最大值),支持以较低的输入电流控制输出。另外,它还采用了寿命较长的LED,支持回流贴装,并符合JEDEC标准。
[电源管理]
三种可控硅调光LED电源驱动方案的比较
全球各大半导体厂商和专业电源制造商都在积极投入研发和推出了部分专用IC芯片,以迎接LED照明替代白炽灯时代的到来。   已率先推出适合可控硅调光的专用LED驱动IC的NXP、National和IWATT半导体厂商,在这个技术领域起到了很好的技术推动作用。   NXP的芯片型号为:SSL2101和SSL2102;   National的芯片型号为:LM3445;   IWATT的芯片型号为:IW3610;   应该说,上述厂家的技术思路上各有千秋,但总的原则是:简单,稳定,有一定的通用性。技术上,主要是遵循了要让可控硅调光器保持导通,再进行PWM变换的原则,并增加了变频控制和QR方式,以达到人眼适合的指数
[电源管理]
可控硅温度控制器在电阻炉中的设计应用
介绍可控硅温度控制器的组成和原理及实现方法,并着重介绍了pid功能的原理和实现,最后描述了系统的应用情况.   在化验分析中,试样的温度要控制在适当的温度范围,有时还要按规定的温度曲线进行升温和降温如果采用传统的接触器通断控制方式不但温度控制精度低,而且能耗高,甚至很多控制温度无法满足规定要求。随着新产品开发的进一步加快,试样的分析对温度的要求越来越高。寻找节能环保的加热控温设备,可控硅温度控制器是目前行之有效的方法。     1 可控硅温度控制器的组成与原理     温度测量与控制是热电偶采集信号通过pid温度调节器测量和输出0~10ma或4~20ma控制触发板控制可控硅导通角的大小,从而控制主回路加热元件电流大小
[工业控制]
士兰微电子推出带可控硅调光及PFC LED驱动芯片
杭州士兰微电子公司在绿色LED照明领域继续推出新品----带可控硅调光及PFC的原边控制模式LED驱动控制SD6857/8系列芯片。该系列产品采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。可广泛适用于PAR灯,球泡灯和日光灯等AC输入LED照明领域。 SD6857/8系列芯片主要包含SD6857和SD6858,两者的区别是SD6858支持可控硅调光。 SD6858系统方案支持多种不同类型的调光器,并且在调光过程中不会出现闪烁。 该系列芯片通过检测变压器初级线圈的电流,间接控制系统的输出电流,从而达到输出恒流的目的。采用了多项士兰微电子自主知识产权的专利技术---PF
[电源管理]
使用霍耳元件的可控硅过流保护电路
这里介绍一种采用霍耳元件作为 传感器 的可控硅过流过载保护 电路 ,此外它还具有过热保护功能和声光报警功能。 电路 原理图见图1。 它的基本工作原理是这样的,由两个U形磁体与两个三端型集成霍耳元件组成一个带有一定间隙的闭合磁路,作为电流的检测系统,通过负载及可控硅电流的导线从磁路平面的中心穿过,在磁路中产生一个交变磁场,见图2。当通过可控硅的电流值在额定范围之内时,它在磁路中所产生的磁场强度较小,低于霍耳元件的动作磁场强度,保护电路不动作。而一旦发生过电流情况时,由于磁场强度大增,将超过霍耳元件的动作强度,霍耳元件将被触发翻转,同时也触发保护电路,使其关闭主电路可控硅的触发电路,并使可控硅在过零之后关断。 电路中IC1和IC
[模拟电子]
基于单片机的调光控制器设计
1 调光控制器设计 在日常生活中,我们常常需要对灯光的亮度进行调节。本调光控制器通过单片机控制双向可控硅的导通来实现白炽灯(纯阻负载)亮度的调整。双向可控硅的特点是导通后即使触发信号去掉,它仍将保持导通;当负载电流为零(交流电压过零点)时,它会自动关断。所以需要在交流电的每个半波期间都要送出触发信号,触发信号的送出时间就决定了灯泡的亮度。 调光的实现方式就是在过零点后一段时间才触发双向可控硅开关导通,这段时间越长,可控硅导通的时间越短,灯的亮度就越低;反之,灯就越亮。 这就要求要提取出交流电压的过零点,并以此为基础,确定触发信号的送出时间,达到调光的目的。 1.1 硬件部分 本调光控制
[单片机]
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved