东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET-电子工程世界

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- 新封装提供双面散热，有效改善散热。

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东京--八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance（WF）封装。

这些新产品在“DSOP Advance”（WF）封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟道结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。

与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰（EMI）[1]。“DSOP Advance（WF）”封装采用可焊锡侧翼端子结构[2]。

应用场合

    电动助力转向系统
    负载开关
    电子泵

特点

    符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
    采用顶板（top plate）[3]和漏极的双面散热封装
    可焊锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
    U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性

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注：

[1]　EMI（电磁干扰）

[2]　可焊锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测（AOI）。

[3]　请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。

关键字：东芝 MOSFET 编辑：冀凯引用地址：东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET

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