1、基本的脉冲宽度调制波形
这些拓扑结构都与开关式电路有关。
基本的脉冲宽度调制波形定义如下:
2、Buck降压
■把输入降至一个较低的电压。
■可能是最简单的电路。
■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。
■输出总是小于或等于输入。
■输入电流不连续 (斩波)。
■输出电流平滑。
3、Boost升压
■把输入升至一个较高的电压。
■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。
■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。
■输入电流平滑。
■输出电流不连续 (斩波)。
4、Buck-Boost降压-升压
■电感、开关和二极管的另一种安排方法。
■结合了降压和升压电路的缺点。
■输入电流不连续 (斩波)。
■输出电流也不连续 (斩波)。
■输出总是与输入反向 (注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。
■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。
5、Flyback反激
■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。
■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。
■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。
■这是隔离拓扑结构中最简单的
■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。
6、Forward正激
■降压电路的变压器耦合形式。
■不连续的输入电流,平滑的输出电流。
■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。
■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。
■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。
■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。
7、Two-Transistor Forward双晶体管正激
■两个开关同时工作。
■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。
■主要优点:
■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。
■无需对绕组磁道复位。
8、Push-Pull推挽
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。
9、Half-Bridge半桥
■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压与输入电压相等。
10、Full-Bridge全桥
■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。
■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在 FETs上的电压与输入电压相等。
■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。
11、SEPIC单端初级电感变换器
■输出电压可以大于或小于输入电压。
■与升压电路一样,输入电流平滑,但是输出电流不连续。
■能量通过电容从输入传输至输出。
■需要两个电感。
12、C’uk(Slobodan C’uk的专利)
■输出反相
■输出电压的幅度可以大于或小于输入。
■输入电流和输出电流都是平滑的。
■能量通过电容从输入传输至输出。
■需要两个电感。
■电感可以耦合获得零纹波电感电流。
13、电路工作的细节
下面讲解几种拓扑结构的工作细节 ■降压调整器: 连续导电 临界导电 不连续导电 ■升压调整器 (连续导电) ■变压器工作 ■反激变压器 ■正激变压器
14、Buck-降压调整器-连续导电
■电感电流连续。
■Vout 是其输入电压 (V1)的均值。
■输出电压为输入电压乘以开关的负荷比 (D)。
■接通时,电感电流从电池流出。
■开关断开时电流流过二极管。
■忽略开关和电感中的损耗, D与负载电流无关。
■降压调整器和其派生电路的特征是:
输入电流不连续 (斩波), 输出电流连续 (平滑)。
15、Buck-降压调整器-临界导电
■电感电流仍然是连续的,只是当开关再次接通时 “达到”零。 这被称为 “临界导电”。 输出电压仍等于输入电压乘以D。
16、Buck-降压调整器-不连续导电
■在这种情况下,电感中的电流在每个周期的一段时间中为零。
■输出电压仍然 (始终)是 v1的平均值。
■输出电压不是输入电压乘以开关的负荷比 (D)。
■当负载电流低于临界值时,D随着负载电流而变化(而Vout保持不变)。
17、Boost升压调整器
■输出电压始终大于(或等于)输入电压。
■输入电流连续,输出电流不连续(与降压调整器相反)。
■输出电压与负荷比(D)之间的关系不如在降压调整器中那么简单。在连续导电的情况下:
在本例中,Vin = 5, Vout = 15, and D = 2/3. Vout = 15,D = 2/3.
18、变压器工作(包括初级电感的作用)
■变压器看作理想变压器,它的初级(磁化)电感与初级并联。
19、反激变压器
■此处初级电感很低,用于确定峰值电流和存储的能量。当初级开关断开时,能量传送到次级。
20、Forward 正激变换变压器
■初级电感很高,因为无需存储能量。
■磁化电流 (i1) 流入 “磁化电感”,使磁芯在初级开关断开后去磁 (电压反向)。
21、总结
■此处回顾了目前开关式电源转换中最常见的电路拓扑结构。
■还有许多拓扑结构,但大多是此处所述拓扑的组合或变形。
■每种拓扑结构包含独特的设计权衡:
施加在开关上的电压
斩波和平滑输入输出电流
绕组的利用率
■选择最佳的拓扑结构需要研究:
输入和输出电压范围
电流范围
成本和性能、大小和重量之比
上一篇: 利用BGA封装的低EMI µModule稳压器可简化设计
下一篇:小尺寸大作为,Empower 全新电源管理IC系列问市
推荐阅读最新更新时间:2024-11-03 08:40
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- 使用 Analog Devices 的 LT3470HTS8 的参考设计
- 具有 3V7V 输入的高效率 8A LTC3831 VTT 电源
- 使用 Analog Devices 的 LT1021DIN8-10 的参考设计
- CY8C5868AXI-LP035 CY8C58LP PSoC 5LP 可编程片上系统的典型应用
- 室内环境监测终端
- 使用 California Eastern Laboratories 的 ZICM3588SP2-1C-R 的参考设计
- LTC4058EDD-4.2 演示板、锂离子电池充电器、4.25V 至 6.3Vin、800mA 输出
- 基于CLT01-8SQ7的高速数字输入限流器评估板
- 具有双输入的 LTC3126MPFE 3.3V、750kHz 降压转换器的典型应用电路
- 使用 NXP Semiconductors 的 PCAL6416A 的参考设计