Navitas Semiconductor 纳微半导体今日宣布,交付基于其GaNFast技术的第500万颗氮化镓功率IC芯片。7月24日,纳微半导体副总裁查莹杰先生,将第500万颗GaNFast氮化镓功率IC芯片,交到了OPPO副总裁、OPPO研究院院长刘畅先生的手中,表明了OPPO对纳微半导体GaNFast技术的肯定,以及新材料对电源领域二次革命的见证。
OPPO作为快充行业的先行者,一直引领着智能手机的快充市场,最早期的VOOC闪充“充电五分钟,通话两小时”深入人心,演进自SuperVOOC架构的125W 超级闪充更是把手机快充功率提到了史无前例的高度。技术创新无止境,现阶段OPPO最新一代的轻便型快充产品,均采用纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片,颠覆了传统市场对轻便型快速充电器的尺寸框架。
OPPO副总裁、OPPO研究院院长刘畅先生表示:“本次与纳微的合作,完美地契合了公司对新产品、新材料、新工艺、新技术不断探索和追求的主旨。我们能感受到纳微半导体的企业远见和卓越技术,也希望通过深入的合作,推动氮化镓化技术的发展,加速第三代宽禁带半导体的产品化。”
纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰先生表示:“非常高兴OPPO作为顶级移动设备制造商开始采用基于GaNFast技术的快速充电器。纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片,是单芯片IC包含GaN场效应晶体管、GaN数字电路和GaN模拟电路,能快速推动新一代高频、高效率、高功率密度电源转换器的设计作商用化。纳微半导体非常有幸为OPPO新一代的闪充技术提供GaNFast氮化镓功率IC芯片,助力OPPO的产品改善用户体验和技术创新。纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片搭载于OPPO的50W 超闪饼干充电器、110W 超闪mini充电器等多款产品和技术平台,呈现全新的产品形态。
上一篇:100W+功率,5分钟充满50%,高通QC 5.0快充技术有这么牛?
下一篇:120W超快闪充再次刷新纪录,15分钟就能充满
推荐阅读最新更新时间:2024-10-25 06:34
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC
- KIT12XS6EVM,具有 MC07XS6517 和 MC17XS6500 智能高边开关的评估板
- 使用1x STAC2942B的350 W-48 V 演示板,用于FM广播应用(VHF放大器87.5-108 MHz)
- 【涂鸦智能】物联网气象台-657332A
- STA333W,数字电视数字音频系统演示板
- LTC3407-2EDD 演示板,双路同步降压型 DC/DC 转换器,Vin = 2.5V - 5.5V,Vout1 = 1.2V / 1.5V / 1.8V @ 800mA,Vout2 = 2.5V @ 800mA
- 试轴器
- #第四届立创大赛#智能空调控制器
- MC33071DR2G 桥式电流放大器的典型应用
- LTC4050 的典型应用 - 具有热敏电阻接口的锂离子线性电池充电器控制器
- 具有 75ms 软启动的 LTC3638HMSE 低输出电压纹波 250mA 稳压器的典型应用电路