Cambridge GaN Devices获950万美元A轮融资-电子工程世界

CGD由首席执行官Giorgia Longobardi博士和首席技术官Florin Udrea于2016年从剑桥大学工程学系的电力与能源转换小组中诞生，以开发使用氮化镓（GaN）硅基衬底的功率半导体。该公司的核心业务是设计，开发和商业化功率晶体管和集成电路。

CGD正在开发一系列GaN晶体管，这些GaN晶体管是针对诸如消费和工业开关模式电源（SMPS），照明，数据中心和汽车混合电动车（HEV / EV）等细分市场中的关键应用而定制的。该公司表示，器件的更高效率以及其专有IP所带来的独特易用性，将使CGD GaN在关键应用中替代硅，同时实现更紧凑的电源系统和能源的更好利用。

该公司是与该领域的领先组织进行数十年的功率器件和GaN可靠性研究的结果，并且是通过一些合作伙伴关系和合作进行。 CGD目前与欧洲的13个工业和学术合作伙伴一起领导着由欧洲资助的，耗资1000万美元的项目“GaNext”，为低功率和高功率应用开发基于GaN的模块。

Longobardi说：“最新的一轮投资是对我们迄今为止成功的充分认可，新老投资者都在确认我们技术的实力。自2016年以来，CGD取得了长足的发展，我们经过数十年在功率设备可靠性方面的行业领先研究，很高兴能够将几种产品推向市场。她补充说：“这项投资将使我们能够聘用更多的专家来补充经验丰富的团队，并在全球扩展我们的市场，在全球范围内创造更多可持续的电子产品。”

“我们与CGD的密切合作给我们带来了双赢的双赢体验。” Neways的首席执行官Eric Stodel说道，他是GaNext项目的EMS系统创新和生命周期合作伙伴。他补充说：“这使我们能够开发基于GaN技术的极其紧凑的太阳能逆变器。”

IQ Capital管理合伙人Ed Stacey表示：“我们很高兴能支持CGD团队，因为他们基于强大的学术研究和IP基础技术，建立了世界上最好的GaN功率器件，可用于各种应用。这个经验丰富的团队具有巨大的潜力，可以通过新设备颠覆电子行业，从而为供应商和客户带来商业和环境收益。”

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