派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线-电子工程世界

派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线

近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。派恩杰之所以能迅速反应市场需求源自于其公司独特的全球战略布局，早在2018年就紧锣密鼓布局车规级半导体芯片，才能在大规模缺货的情况下独占鳌头。

据公开资料显示，派恩杰自成立之初就按照车规级标准研发设计碳化硅功率器件，合作的代工厂也是有30年车规的全球首家提供150mm SiC工艺的X-FAB。高标准的产品品质，帮助派恩杰在全球半导体行业缺货的大背景下紧抓发展机遇，率先顺利“上车”。

纵观整个国产碳化硅行业，原材料领域近几年取得了长足的发展，众多碳化硅原材料工厂纷纷投产。封测加工环节国产化速度也在加快，例如碳化硅二极管，国产化程度已经非常高。但汽车专用的碳化硅模块，还有待技术的开发和验证。为了更好的服务新能源汽车企业，派恩杰加快布局车用碳化硅模块，产品技术研发上已经取得较大的进展，正着力选址建造车用碳化硅模块封装产线。

关键字：MOSFET SiC 封装引用地址：派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线

上一篇：Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
下一篇：瑞萨电子面向无刷直流电机应用的全新可编程智能栅极驱器

推荐阅读最新更新时间：2024-10-22 14:20

派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线

派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。派恩杰之所以

[电源管理]

派恩杰拟建车用SiC模块封装产线

自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。派恩杰之所以能迅速反应市场需求源自于其公司独特的全球战略布局，早在2018年就紧锣密

[汽车电子]

晶圆代工X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰长期战略合作

模拟晶圆代工龙头企业X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展 2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。 X-FAB总部位于欧洲，是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业。X-FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质、高性能，并且能快速上市的器件。作为X-FAB亚洲区重要的合作伙伴，据了解，过去三年派恩杰累计出货1千万，未来三年预计将超过8千万。从派恩杰官网了解到

[半导体设计/制造]

发力车用碳化硅赛道派恩杰半导体完成数千万元融资

第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司（下称“派恩杰半导体”）近日完成了数千万元天使轮融资。本轮融资由深圳创东方投资（下称“创东方”）投资。派恩杰半导体持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发，并已经实现系列产品量产。公司创始人黄兴博士对集微网指出，本轮资金将用于碳化硅功率器件研发、人才团队建设、市场推广和产品备货。“本轮融资无疑是给我们资金上的有力支持，能够加快我们产品的步伐，同时也帮助我们扩充人力、快速布局市场。”黄兴说。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视作下一个重要的产业赛道。相比第一、第二代半导体，第三代半导体具有宽禁带、高耐压、低阻抗等诸多优势，特别适用于高功率和高频高压场景，其中设

[手机便携]

看好SiC发展前景，派恩杰半导体获天使轮融资

第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司（下称“派恩杰半导体”）近日完成了数千万元天使轮融资。本轮融资由深圳创东方投资（下称“创东方”）投资。派恩杰半导体持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发，并已经实现系列产品量产。派恩杰半导体创始人黄兴公司创始人黄兴博士对集微网指出，本轮资金将用于碳化硅功率器件研发、人才团队建设、市场推广和产品备货。“本轮融资无疑是给我们资金上的有力支持，能够加快我们产品的步伐，同时也帮助我们扩充人力、快速布局市场。”黄兴说。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视作下一个重要的产业赛道。相比第一、第二代半导体，第三代半导体具有宽禁带、高耐压、低阻抗等诸多优

[半导体设计/制造]

看好<font color='red'>SiC</font>发展前景，<font color='red'>派</font><font color='red'>恩</font><font color='red'>杰</font>半导体获天使轮融资

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

1200 V器件采用SMD-7封装，性能领先同类产品奈梅亨，2024年5月23日： Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的

[电源管理]

Nexperia出色的<font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7<font color='red'>封装</font>

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

中国上海，2023年8月31日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N1

[电源管理]

东芝推出用于工业设备的第3代<font color='red'>碳化硅</font><font color='red'>MOSFET</font>，采用可降低开关损耗的4引脚<font color='red'>封装</font>

采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

“引言” 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。文：英飞凌科技高级应用工程师Jorge Cerezo 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸。在焊机行业，诸如提高效率、降低成本和增强便携性（即，缩小尺寸并减轻重量）等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如，多个标准法规已经或即将强制规定焊机的电源效率达到特定水平。其中一个例子是，2023

[工业控制]

采用增强互连<font color='red'>封装</font>技术的1200 V <font color='red'>SiC</font> <font color='red'>MOSFET</font>单管设计高能效焊机

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播