EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器

EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器，可实现2 MHz的开关频率

EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9160，这是一款双输出同步降压转换器参考设计，开关频率为2 MHz，可将9 V~24 V的输入电压转换为3.3 V或5 V的输出电压，两个输出的连续电流可高达15 A。由于开关频率高，转换器的尺寸非常小，两个输出都只有23 mm x 22 mm和电感器的厚度只有3 mm。

这个解决方案具有高功率密度、纤薄和开关频率为2 MHz，是车用控制台应用和需要小型、纤薄方案的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN®FET具备快速开关、高效率和小尺寸等优势，可以满足这些前沿应用对高功率密度的严格要求。

EPC9160参考设计采用了增强型GaN FET(EPC2055)和带有GaN集成驱动器的两相模拟降压控制器(LTC7890)。

• 100 V、具有低 Iq、双路、两相的同步降压控制器（LTC7890）经过全面优化，可驱动 EPC eGaN FET，并集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1）可实现非常低的待机功耗和卓越的轻负载效率。

  
  

• 40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)内实现3 mOhm的最大导通电阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢复（QRR），可提供高达29 A的连续电流和161 A的峰值电流。优越的动态参数可以在2 MHz开关频率下，实现非常小的开关损耗。

EPC9160的效率在5 V输出和24 V输入时超过93%。除了轻载工作模式和可调死区时间外，该板还提供欠压锁定、过流保护和power good输出。

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow表示："氮化镓场效应晶体管具备超低开关损耗的优势，使它能够在2 MHz以上的频率工作，并配以新型模拟控制器，让客户可实现2 MHz工作频率以上的整个生态系统。我们很高兴与ADI公司合作，将其先进控制器的优势与EPC氮化镓器件的卓越性能结合起来，为客户提供具有最高功率密度和采用少量元件的解决方案，从而提高效率、增加功率密度和降低系统成本"。

ADI公司高级产品市场经理Tae Han说："ADI公司的LTC7890设计可发挥EPC eGaN FET的优势，用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间，与市场上现有的解决方案相比，性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器，客户可以发挥氮化镓器件的极速开关优势，实现最高的功率密度。"