GAN Systems联合xFusion展示突破100W/in3功率密度的电源

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2022-05-11 来源: EEWORLD关键字:GaN  功率密度 手机看文章 扫描二维码
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日前,GAN Systems联合其合作伙伴xFusion展示了首款功率密度达100W/in3 以及 80 Plus 96%钛金效率的数据中心电源。支持 90~264V 直流电压或180V~300V交流电压输入、12V 电压输出,整体功率达3kW。


GaN Systems 指出,对更多数据和电力的日益增长的需求以及可持续发展计划正在推动数据中心行业的变革。目前该公司的GaN功率晶体管可实现从 800W 到 6kW 的功率水平。


“GaN Systems帮PSU的功率密度不断提高,从 45W/in3 到 63/in3、82/in3,现在再到 100W/in3。”首席执行官 Jim Witham 说。“随着功率密度的突破和效率的提高,GaN 的价值主张是不可否认的,我们将看到更多 PSU 公司提供这些解决方案。”


GaN Systems 表示,GaN 在数据中心 PSU 中的应用越来越广泛。随着全球数据中心行业的发展,运营商将重点放在盈利能力和减少二氧化碳排放上。据估计,对于数据中心的每组 10 个机架,利用基于 GaN 的 PSU 可以增加 300 万美元的利润,从而降低数据中心的运营成本,并每年减少 100 多公吨的二氧化碳排放量。GAN Systems的产品将传统 PSU 的功率密度提高一倍,达到100W/in3,效率高达 96% 以上,与基于硅的电源相比,电源的尺寸和功耗降低了一半。

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