UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET-电子工程世界

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。

UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列，让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中，这种电压升高不可避免，而这些新器件有四个不同RDS(on)等级，有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”

新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征：

品质因数值

RDS(on) • A 1.35 mOhm-cm2

RDS(on) • Eoss 0.78 Ohm-uJ

RDS(on) • Coss,tr4.5 Ohm-pF

RDS(on) • Qg0.9 Ohm-nC

所有RDS(on)产品（23、30、53和70毫欧）都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装，在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性，这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。

FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件，从而得到最优解决方案。

新1200V第四代SiC FET的定价（1000件起，FOB USA）从$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授权经销商销售。

Qorvo的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。

关键字：UnitedSiC Qorvo SiC 引用地址：UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

上一篇：安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
下一篇：Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

推荐阅读最新更新时间：2024-11-17 18:03

Qorvo®的爱尔兰 UWB 开发运营部门将增设 100 个工程师职位

Qorvo ®的爱尔兰 UWB 开发运营部门将增设 100 个高技能工程师职位中国北京，2021年7月1日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo® 今日宣布，计划在爱尔兰新增 100 个高技能工程师职位，以支持其在都柏林和科克的全球超宽带 (UWB) 产品研发。Qorvo 预计在未来两年填补这些工程师职位空缺，涵盖 UWB 无线电系统架构和建模、收发器和基带设计、电源管理、片上系统 (SoC) 集成、嵌入式软件、物理设计和 IC 表征等领域。 2020 年初，Qorvo 完成了对总部位于爱尔兰的 Decawave 的收购。Decawave 是 UWB 技术行业先锋，也是面

[网络通信]

意法半导体携手三安光电，推进中国碳化硅生态系统发展

意法半导体和三安光电将成立一家合资制造厂，进行8英寸碳化硅 (SiC)器件大规模量产该合资厂将有助于满足中国汽车电气化、工业电力和能源等应用对意法半导体 SiC器件日益增长的需求三安光电还将单独建造一个8英寸 SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求 2023年6月7日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；)，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电今日宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始

[电源管理]

Qorvo新款BAW滤波器可大幅提高WiFi性能

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，推出新型体声波(BAW)滤波器---带边滤波器885136和共存滤波器885128，该系列产品可在智能家居和企业应用中大幅提高Wi-Fi的有效范围和覆盖面积。在美国联邦通信委员会(FCC)允许的范围内，这些产品可使工业、科学和医疗(ISM)频带的功率达到最高水平，从而为消费者、组织和互联网服务供应商提供更多的容量和更高的服务质量。新型带边和共存Wi-Fi滤波器采用Qorvo的BAW技术，可以解决多用户多输入/多输出 (MU-MIMO)系统严苛的散热难题，而不会牺牲谐波合规性和辐射性能。这对在分配的整个频谱上实现可靠的覆盖范围至关重要。同

[网络通信]

安森美推出全新基于碳化硅(SiC)的混合IGBT

安森美半导体，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。 AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，能够处理高达100 A@25 °C (50 A@100 °C)的连续电流，以及高达200

[半导体设计/制造]

安森美推出全新基于<font color='red'>碳化硅</font>(<font color='red'>SiC</font>)的混合IGBT

Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列

中国，北京，2018年1月24日讯 - Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。第2代1200V碳化硅肖特基二极管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封装。此外，LSIC2SD120C08系列的额定电流为8A，采用TO-252-2L封装。第2代肖特基二极管合并后的p-n肖特基（MPS）器件结构可确保提升抗浪涌能力并降低泄漏电流。

[半导体设计/制造]

QORVO®碳化硅基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本

中国，北京 – 2017年8月10日 –实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。 Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率；相比LDMOS等其他功率技术，GaN的频率性能更出色。” Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Ro

[模拟电子]

<font color='red'>QORVO</font>®<font color='red'>碳化硅</font>基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本

简析SiC技术发展趋势

在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS（Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi）牵头，20个专案合作成员将在技术研究、制程、封装测试和应用展开为期36个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容，并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。 WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家（意大利、法国、德国和捷克共和国）的20个合作伙伴组成，包括大型企业、中小型企业、大学院校和政府科研机

[汽车电子]

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联 Driver IC 1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min) 2、仿真电路Setup 如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并联的主回路和驱动回路，并设置相关杂散参数，环境温度为室温。外部主回路：直

[电源管理]

仿真看世界之<font color='red'>SiC</font> MOSFET单管的并联均流特性

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播