UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

发布者:cheng1984最新更新时间:2022-05-11 关键字:UnitedSiC  Qorvo  SiC 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET


image.png


2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。


UnitedSiC(即Qorvo)功率器件总工程师Anup Bhalla称:“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列,让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中,这种电压升高不可避免,而这些新器件有四个不同RDS(on)等级,有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”


image.png


新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征:


品质因数


RDS(on) • A 1.35 mOhm-cm2

RDS(on) • Eoss 0.78 Ohm-uJ

RDS(on) • Coss,tr4.5 Ohm-pF

RDS(on) • Qg0.9 Ohm-nC


所有RDS(on)产品(23、30、53和70毫欧)都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装,在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性,这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。


FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具,包含了所有的1200V SiC FET,可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件,从而得到最优解决方案。


新1200V第四代SiC FET的定价(1000件起,FOB USA)从$5.71(UF4C120070K3S)到$14.14(UF4SC120023K4S)不等。所有器件都由授权经销商销售。


Qorvo的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。


关键字:UnitedSiC  Qorvo  SiC 引用地址:UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

上一篇:安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
下一篇:Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合

推荐阅读最新更新时间:2024-10-27 13:54

UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET 2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo® 今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构,这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。 UnitedSiC(即Qorvo) 功率器件总工程师Anup Bhalla称:“性能较高的第四代产品扩充
[电源管理]
<font color='red'>UnitedSiC</font>(现名<font color='red'>Qorvo</font>)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代<font color='red'>SiC</font> FET
贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的1700V SiC JFET
贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET 2022年4月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF3N170400B7S JFET。 UF3N170400B7S 是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET,为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。 贸泽分销的 UF3N170400B7S 是一种开关速度超快且与温度无关的JFET,
[电源管理]
贸泽电子开售<font color='red'>Qorvo</font>旗下<font color='red'>UnitedSiC</font>的1700V <font color='red'>SiC</font> JFET
Qorvo收购碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC
当地时间11 月 3 日,Qorvo宣布收购美国碳化硅(SiC)功率半导体制造商United Silicon Carbide(UnitedSiC)。 交易金额尚未披露,不过这笔收购将使Qorvo的影响力延伸至电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。 UnitedSiC将并入Qorvo旗下的基础设施和国防产品(IDP)部门。 资料显示,United Silicon Carbide的产品组合现已涵盖80多种SiC FET、JFET和肖特基二极管器件。SiC是第三代半导体的重要代表,相较于传统硅材料能够明显改善系统效率,包括EV、EV充电和能源基础设施
[手机便携]
Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司 中国 北京,2021年11月4日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc. 今天宣布,已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品(IDP)业务之一,将由Chris Dries博士领导,他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官,现任Qorvo功率器件解决方案事业部总经理。 Qor
[电源管理]
Qorvo收购SiC器件供应商UnitedSiC
射频解决方案的领先供应商Qorvo今天宣布,公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC),一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍,收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。据报道,在收购之后,UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分,由 Chris Dries 博士领导,Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官,现在是
[半导体设计/制造]
<font color='red'>Qorvo</font>收购<font color='red'>SiC</font>器件供应商<font color='red'>UnitedSiC</font>
收购UnitedSiCQorvo进一步布局化合物半导体市场
11月3日,Qorvo宣布收购碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC,对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车(EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品(IDP)业务之一,将由Chris Dries博士领导,他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官,现任Qorvo功率器件解决方案事业部总经理。预计此次交易费用将超过2亿美元。 Qorvo IDP总裁Philip Chesley表示:“UnitedSiC加入我们的IDP业务,大大扩展了我们在高功率应用方面的市场机会。这次收购使Qorvo能够提供高价值、同类最佳
[电源管理]
收购<font color='red'>UnitedSiC</font>,<font color='red'>Qorvo</font>进一步布局化合物半导体市场
贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。 UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电和IT/服务器电
[工业控制]
贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用<font color='red'>UnitedSiC</font> 750V UJ4C/SC <font color='red'>SiC</font> FET
UnitedSiC针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合
UnitedSiC(现为 Qorvo®)针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合 七款D2PAK 表面贴装器件可提供更佳灵活性 2022 年 7 月 26 日 - Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封装选项,Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制,能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。 Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时
[电源管理]
<font color='red'>UnitedSiC</font>针对电源设计扩展更高性能和效率的750V <font color='red'>SiC</font> FET 产品组合
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved