Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP-电子工程世界

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。

Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。

加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. 与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。

伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一，新推出的WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片，设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其它智能设备充电的45至100瓦USB-C PD电源适配器。峰值功率效率超过93%。该器件的样品将在2023年第二季度推出。

位于台湾地区新竹科学园区的伟诠电子是一家领先的无晶圆厂半导体公司，专门从事混合信号/数字IC产品的规划、设计、测试、应用开发和分销，产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。向市场推出该SiP新品，标志伟诠电子取得一项重大成就，新推出的GaN SiP展示了伟诠电子对AC-DC电源市场的承诺——使用Transphorm的SuperGaN®技术提供完整的系统级解决方案。

该新产品上市，也再一次证明Transphorm氮化镓器件的接口简易性和卓越性能。Transphorm将在2023年应用电力电子会议(APEC)上首次展示这款伟诠电子的SiP（展位号为853）。两家公司还将在会议期间发布有关WTDB_008 65W USB PD电源适配器评估板的详细信息。

伟诠电子总经理林崇焘(Tony Lin)表示：“WT7162RHUG24A是业界首款公开发布的采用Transphorm GaN的SiP。能帮助制造商开发出成本更低的系统解决方案，因为此解决方案需要的器件更少，使用更小的PCB，还能减少系统开发时间。诸多优势可以高效地帮助适配器制造商消除设计障碍。值得注意的是，凭借此新产品，伟诠电子可以进入一个新的市场。这是我们的PWM控制器有史以来的首个SiP，证明了伟诠电子对支持大批量增长领域的承诺。而且，通过与GaN FET的集成提高了性能输出水平。这是伟诠电子、Transphorm和我们共同客户的一次共赢。”

Transphorm总裁兼首席运营官Primit Parikh表示：“适配器快充市场是目前氮化镓应用的一个快速增长领域。我们正在扩大市场份额，并继续创新。最近推出的这款GaN SiP，使Transphorm的GaN器件更易使用。我们很高兴能将业界领先的SuperGaN平台与伟诠电子的创新型适配器电源控制器技术结合起来。伟诠电子提供了一个领先的功率转换平台，可以为适配器/快速充电器客户打造一个简单易用的解决方案，双方可以利用这个平台加速赢得这个市场。”

WT7162RHUG24A的规格和特点

新推出的SiP集成了伟诠电子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫欧650伏SuperGaN® FET。此表面贴装器件采用24引脚8x8 QFN封装，可减少印刷电路板尺寸。其它主要规格包括：

•峰值功率效率：> 93%

•功率密度：26 W/in3

•宽输出电压操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

•最大频率：180kHz

•目标拓扑结构：QR反激模式/谷值开关多模操作

主要特点包括：

目标应用和供货信息

WT7162RHUG24A SiP适用于高性能、小体积USB-C电源适配器，可用于移动/物联网设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、耳机、无人机、扬声器、相机等。

关键字：Transphorm 伟诠电子 GaN SiP 氮化镓引用地址：Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

上一篇：ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
下一篇：Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器，助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案

推荐阅读最新更新时间：2024-11-16 20:47

Yole：2020年GaN功率器件市场规模将达到6亿美元

现在，关于GaN（氮化镓）功率半导体的报道随处可见。对使用GaN的功率器件而言，市场牵引力至关重要。从（2020年将支配市场的）电源和PFC（功率因数校正）领域，到UPS（不间断电源）和马达驱动，很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。市场调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)认为，除了这些应用，2020年以后纯电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）也将开始采用这些新材料和新器件。虽然GaN功率器件比现在的硅（Si）产品贵，但从系统层面来说，有可能获得更大的成本削减效果。今后5年将是在系统中使用GaN功率器件显现成本削减效果的关键期。Yole于2014年6月出版了详细介绍这

[半导体设计/制造]

Yole：2020年<font color='red'>GaN</font>功率器件市场规模将达到6亿美元

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率稳健、高效，可像 MOSFET 一样驱动 2023 年 5 月 15 日英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。 CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。 H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN

[电源管理]

Cambridge <font color='red'>GaN</font> Devices 推出第二代 ICeGaN ICs

ADI收购宽带GaAs/GaN放大器业者

亚德诺半导体(ADI)近日宣布收购OneTree Microdevices。亚德诺为混合讯号解决方案供货商，提供从数据转换器、频率到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)放大器具有业界最佳的线性度、输出功率和效率，亚德诺收购该公司及产品组合后，其能够支持下一代电缆接入网络的完整讯号链。该笔交易的财务条款并未披露。 ADI半导体射频和微波业务副总裁Greg Henderson表示，ADI和OneTree Microdevices强强连手，有助于因应当前有线电视营运商面临带宽和能源效率的挑战，进而增强家庭和企业的宽带互联网服务。 OneTree Microd

[半导体设计/制造]

大联大友尚集团推出基于ST产品的GaN电源转换器方案

2023年7月20日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商--- 大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）ViperGaN50器件的GaN电源转换器方案。图示1-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的实体图近年来，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料在消费电子领域的渗透率不断提升，其能够以高能效和高功率密度实现电源转换，在快充时代备受欢迎。针对此趋势，大联大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN电源转换器方案，能够优化电源的充电效能的同时，保持小型化外观。图示2-大联大友尚基于ST产品的GaN电源转换器方案的场景应用图本方案的核心ViperGaN50是一

[电源管理]

大联大友尚集团推出基于ST产品的<font color='red'>GaN</font>电源转换器方案

POWERQUARK®赋能绿联新一代充电头提升用户体验

近日，搭载南芯科技 POWERQUARK® 系列芯片的绿联闪充湃 65W 氮化镓快充充电头 (X550) 发布，这款 USB-C 氮化镓充电头支持 100V-240V 的宽幅电压，尺寸仅掌心大小，重量为 108 g。轻薄小巧的体积与强大的性能生动诠释了 POWERQUARK 系列芯片高集成度与高效率的特点。图源：充电头网超高集成度，极致效率南芯 POWERQUARK 系列是国内首个隔离式反激全集成方案，将原边控制器、氮化镓功率管、高速隔离数字通讯模块、同步整流控制器和协议这五种独立功能集成到同一颗芯片。基于自研全集成封装技术，相比上代方案可减少多达 20 颗外围元器件，并最多可减小 30% 的整机体积。此

[电源管理]

成本会随着市场需求量平民化，GaN离商用化市场不远了

近年来，由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积，GaN已被RF工业大量采用。根据两个主要应用：电信基础设施和国防，推动整个氮化镓射频市场预计到2024年成长至20亿美元，产业研究机构Yole Développement(Yole)的研究报告指出，过去十年，全球电信基础设施投资保持稳定，在该市场中，更高频率的趋势为5G网路中频率低于6GHz的PA中的RF GaN提供了一个最佳发展的动力。自从20年前第一批商用产品出现以来，GaN已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并以更低的成本不断提高性能和可靠性。第一个GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件几乎同时出现，但GaN-on-SiC在技

[嵌入式]

成本会随着市场需求量平民化，<font color='red'>GaN</font>离商用化市场不远了

TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本 2021年9月23日，北京讯——德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器相比，台达研发的服务器电源供应器将功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策机构Energy Innovation1数据显示，效率每提升1%，相当于每个数据中心节省了1兆瓦（或800户家庭用电）的总所有成本。台达为全球客户提供电源管理与散热解

[电源管理]

Toshiba打造GaN功率场效应管，应用于Ku波段中高功率输出

Toshiba公司开发了GaN功率场效应管，这种场效应管应用频率在Ku波段（12-GHz to 18-GHz）可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中，在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。 Ku波段微波放大器的优点在于采用半导体器件取代通常使用的电子管，尤其是采用GaN晶体管，可以在微波通信的高频段信道上提高高的功率特性。 Toshiba公司最新的功率场效应管具有高电子移动性晶体管结构，使得其在Ku波段可以得到最优的性能。该公司同时也改进设计使其适合在Ku波段频率特殊应用电路。 Toshiba公司计划在2007年底开始这种功率场效应管抽样，在2008年3月底进行

[焦点新闻]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播