2023年9月19日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于意法半导体(ST)VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的65W PD快充方案。
图示1-大联大友尚基于ST产品的65W PD快充方案的展示板图
在5G、物联网技术的不断推进下,越来越多的移动电子设备涌入市场,为人们的生活带来极大的便利。然而随着用户对移动设备的依赖性日益增强,高效的充电需求也与日俱增。在这种趋势下,能够提升充电速率的PD充电器迅速进入快车道,且市场发展前景广阔。为助力厂商加快PD充电器的开发,大联大友尚基于ST VIPERGAN65芯片推出65W PD快充方案,该方案具有紧凑设计的特点,可满足手机、笔记本等移动设备的快充需求。
图示2-大联大友尚基于ST产品的65W PD快充方案的场景应用图
VIPERGAN65是一款高压转换器,内部集成一个脉宽调制(PWM)控制器和一个650V增强型GaN功率晶体管,能够在宽范围内提供高达65W的输出功率。并且具有低静态电源管理可用于系统实现低待机功耗。不仅如此,VIPERGAN65内置多种能确保安全性和可靠性的功能,包括输入电压前馈补偿、输入/输出过压保护、电流检测、以及上电和掉电保护,且所有保护均为自动重启模式。
在外观尺寸方面,VIPERGAN65采用5mm x 6mm QFN封装,占地面积小、集成度高,能够在确保卓越的功率密度的同时,节省物料成本(BOM)。此外,宽带隙晶体管技术也能进一步提高能效并简化热管理设计。
图示3-大联大友尚基于ST产品的65W PD快充方案的方块图
本方案初级侧主控芯片使用ST VIPERGNA65,次级侧同步整流控制器使用ST SRK1001,协议芯片采用ST STUSB476QTR,输出接口为主流的USB Type-C。凭着这些器件的出色性能,本方案能够有效的提高充电效率,助力厂商迅速推出具有PD快充功能的充电产品。
核心技术优势:
65W开发板优势:
4个功率点平均效率:>92%;
空载待机功耗:<50mW(@230 VAC);
EMI符合IEC55022 B;
VIPERGAN65集成650V氮化镓MOS(GaN)可实现紧凑、简化的PCB布局和减少BOM;
具有动态消隐时间和可调谷底同步延迟功能的QR,可在任意输入线路和负载条件下最大化效率;
谷底锁定;
输入电压前馈补偿OPP;
频率抖动可抑制EMI。
方案规格:
65W开发板规格:
输入电压:90~264VAC,频率47~63Hz;
输出电压:单Type-C输出5V~20VDC;
输出功率:最大20V 3.25A@65W;
尺寸:70mm x 35mm x 25mm(长x宽x高);
功率密度:>22 W/in3;
效率:符合欧盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求,230 VAC 65W时峰值效率>93%。
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