Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,其特点是快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM存储器的理想代替产品。此外,Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I
Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道:“我们的V系列F-RAM产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度F-RAM生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到V系列F-RAM产品可在很宽泛的电压范围工作。”
关于FM25V10
与串行闪存或串行EEPROM不同,FM25V10以总线速度执行写操作,无写入延迟,且数据能够立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。相比串行闪存和串行EEPROM,FM25V10的耐用性高出8个数量级以上,所消耗的有效功率却不到其十分之一。
FM25V10具有高性能F-RAM功能,适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用,应用范围从需要写入次数多的高频数据采集应用,到严苛的工业控制应用。而在这些应用中,串行闪存或EEPROM因為潜在的数据丢失风险,而并不适用。
FM25V10具有一个只读器件ID,可以通过一个独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID,以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。
FM25V10可在
关于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造,包括各种并行、串行I
上一篇:ROM初始化中基于FPGA的mif文件创建使用
下一篇:Siemens PLM Software将参展ISEC2008
- CGD和Qorvo将共同革新电机控制解决方案
- 是德科技 FieldFox 手持式分析仪配合 VDI 扩频模块,实现毫米波分析功能
- 贸泽开售可精确测量CO2水平的 英飞凌PASCO2V15 XENSIV PAS CO2 5V传感器
- 玩法进阶,浩亭让您的PCB板端连接达到新高度!
- 长城汽车研发新篇章:固态电池技术引领未来
- 纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
- 解读华为固态电池新专利,2030 叫板宁德时代?
- 让纯电/插混车抓狂?中企推全球首款-40℃可放电增混电池,不怕冷
- 智驾域控知多少:中低端车型加速上车,行泊一体方案占主体
- Foresight推出六款先进立体传感器套件 彻底改变工业和汽车3D感知