一.概述
普通51单片机可以片外扩展ROM和RAM各64K字节的空间,在实际应用中很少扩展外部ROM,一般都是扩展RAM,因为普通51单片机的内部RAM实在太少,只有128-256字节,处理数据量较大时往往不够用。而片外扩展RAM需要占用P0口、P2口和P3.6、P3.7,消耗了18个IO口,导致IO口又不够用。为了解决以上矛盾,大容量的51单片机(增强型51单片机)应运而生,这种单片机一般内置1K-16K的RAM和16K-64K的ROM,价格也相对昂贵。在某些情况下,用普通51单片机通过片外扩展RAM要比直接使用增强型51单片机更能节约成本。所以,学习51单片机片外扩展RAM是很有必要的。
二.电路设计
在WSF-51DB开发板上,扩展了32K RAM(HM62256B),地址锁存芯片用74HC573。如果片外扩展RAM,P0口作为数据和地址低字节的复用端口,不需要加上拉排阻,当然,加上拉排阻也没有影响。需要注意的是,当使用片外扩展RAM时,P0口和P2口最好不要接有其他资源。访问外部扩展的32K RAM只用到15根地址线,所以用P2.7作为地址锁存器74HC573的使能引脚和HM62256B的片选。如下图,为了减少交叉连线,74HC573作了向下翻转,看起来有些别扭。
三.软件设计
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*程序名称: 51单片机片外扩展RAM测试
*程序功能: 把数据写入片外RAM,再从片外RAM读取数据,点亮P1口的8个LED
*开发工具:WSF-51DB开发板
* MCU型号:AT89S52-24PU
*时钟频率:12MHZ
*程序作者: 吴师傅
*版权说明:吴师傅版权所有,转载请注明来源地址和作者。
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#i nclude
#i nclude
sbit oe=P2^7;//片外RAM芯片片选和地址锁存器74HC573使能
unsigned char code ramdata[100]= //定义100个数据[page]
{
0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,
10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,
20,21,22,23,24,25,26,27,28,29,
30,31,32,33,34,35,36,37,38,39,
40,41,42,43,44,45,46,47,48,49,
50,51,52,53,54,55,56,57,58,59,
60,61,62,63,64,65,66,67,68,69,
70,71,72,73,74,75,76,77,78,79,
80,81,82,83,84,85,86,87,88,89,
90,91,92,93,94,95,96,97,98,99
};
//延时ms函数:
void Delayms(unsigned int t)
{
unsigned int i,j;
for(i=t;i>0;i--)
for(j=120;j>0;j--);
}
//主函数:
int main(void)
{
unsigned char i;
oe=0;//使能RAM芯片片选和地址锁存器
for(i=0;i<100;i++)
XBYTE[300+i]=ramdata[i];
//将100个数据写入片外RAM,起始地址为:300
while(1)
{
for(i=0;i<100;i++)
{
P1=XBYTE[300+i];//从片外RAM读取数据,点亮P1口的8个LED
Delayms(500);
}
}
return 0;
}
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