MOVLW TABLE ;表头地址→F10
MOVWF 10
┋
MOVLW 1 ;1→W,准备取“1”的线段值
ADDWF 10,1 ;F10+W =“1”的数据地址
CALL CONVERT
MOVWF 6 ;线段值置到B口,点亮LED
┋
CONVERT MOVWF 2 ;W→PC TABLE
RETLW 0C0H ;“0”线段值
RETLW 0F9H ;“1”线段值
┋
RETLW 90H ;“9”线段值
9)“READ……DATA,RESTORE”格式程序
“READ……DATA”程序是每次读取数据表的一个数据,然后将数据指针加1,准备取下一个数据。下例程序中以F10为数据表起始地址,F11做数据指针。
POINTER EQU 11 ;定义F11名称为POINTER
┋
MOVLW DATA
MOVWF 10 ;数据表头地址→F10
CLRF POINTER ;数据指针清零
┋
MOVF POINTER,0
ADDWF 10,0 ;W =F10+POINTER
┋
INCF POINTER,1 ;指针加1
CALL CONVERT ;调子程序,取表格数据
┋
CONVERT MOVWF 2 ;数据地址→PC
DATA RETLW 20H ;数据
┋
RETLW 15H ;数据
如果要执行“RESTORE”,只要执行一条“CLRF POINTER”即可。
10) PIC单片机 延时程序
如果延时时间较短,可以让程序简单地连续执行几条空操作指令“NOP”。如果延时时间长,可以用循环来实现。下例以F10计算,使循环重复执行100次。
MOVLW D‘100’
MOVWF 10
LOOP DECFSZ 10,1 ;F10—1→F10,结果为零则跳
GOTO LOOP
┋
延时程序中计算指令执行的时间和即为延时时间。如果使用4MHz振荡,则每个指令周期为1μS。所以单周期指令时间为1μS,双周期指令时间为2μS。在上例的LOOP循环延时时间即为:(1+2)*100+2=302(μS)。在循环中插入空操作指令即可延长延时时间:
MOVLW D‘100’
MOVWF 10
LOOP NOP
NOP
NOP
DECFSZ 10,1
GOTO LOOP
┋
延时时间=(1+1+1+1+2)*100+2=602(μS)。
用几个循环嵌套的方式可以大大延长延时时间。下例用2个循环来做延时:
MOVLW D‘100’
MOVWF 10
LOOP MOVLW D‘16’
MOVWF 11
LOOP1 DECFSZ 11,1
GOTO LOOP1
DECFSZ 10,1
GOTO LOOP
┋
延时时间=1+1+[1+1+(1+2)*16-1+1+2]*100-1=5201(μS)[page]
11) PIC单片机RTCC计数器的使用
RTCC是一个脉冲计数器,它的计数脉冲有二个来源,一个是从RTCC引脚输入的外部信号,一个是内部的指令时钟信号。可以用程序来选择其中一个信号源作为输入。RTCC可被程序用作计时之用;程序读取RTCC寄存器值以计算时间。当RTCC作为内部计时器使用时需将RTCC管脚接VDD或VSS,以减少干扰和耗电流。下例程序以RTCC做延时:
RTCC EQU 1
┋
CLRF RTCC ;RTCC清0
MOVLW 07H
OPTION ;选择预设倍数1:256→RTCC
LOOP MOVLW 255 ;RTCC计数终值
SUBWF RTCC,0
BTFSS STATUS,Z ;RTCC=255?
GOTO LOOP
┋
这个延时程序中,每过256个指令周期RTCC寄存器增1(分频比=1:256),设芯片使用4MHz振荡,则:
延时时间=256*256=65536(μS)
RTCC是自振式的,在它计数时,程序可以去做别的事情,只要隔一段时间去读取它,检测它的计数值即可。
12) 寄存器体(BANK)的寻址
对于PIC16C54/55/56,寄存器有32个,只有一个体(BANK),故不存在体寻址问题,对于PIC16C57/58来说,寄存器则有80个,分为4个体(BANK0-BANK3)。在对F4(FSR)的说明中可知,F4的bit6和bit5是寄存器体寻址位,其对应关系如下:
Bit6 Bit5 |
BANK |
物理地址 |
0 0 |
BANK0 |
10H~1FH |
0 1 |
BANK1 |
30H~3FH |
1 0 |
BANK2 |
50H~5FH |
1 1 |
BANK3 |
70H~7FH |
当芯片上电RESET后,F4的bit6,bit5是随机的,非上电的RESET则保持原先状态不变。
下面的例子对BANK1和BANK2的30H及50H寄存器写入数据。
例1.(设目前体选为BANK0)
BSF 4,5 ;置位bit5=1,选择BANK1
MOVLW DATA
MOVWF 10H ; DATA→30H
BCF 4,5
BSF 4,6 ;bit6=1,bit5=0选择BANK2
MOVWF 10H ;DATA→50H
从上例中我们看到,对某一体(BANK)中的寄存器进行读写,首先要先对F4中的体寻址位进行操作。实际应用中一般上电复位后先清F4的bit6和bit5为0,使之指向BANK0,以后再根据需要使其指向相应的体。
注意,在例子中对30H寄存器(BANK1)和50H寄存器(BANK2)写数时,用的指令“MOVWF 10H”中寄存器地址写的都是“10H”,而不是读者预期的“MOVWF 30H”和“MOVWF 50H”,为什么?
让我们回顾一下指令表。在PIC16C5X单片机的所有有关寄存器的指令码中,寄存寻址位都只占5个位:fffff,只能寻址32个(00H—1FH)寄存器。所以要选址80个寄存器,还要再用二位体选址位PA1和PA0。当我们设置好体寻址位PA1和PA0,使之指向一个BANK,那么指令“MOVWF 10H”就是将W内容置入这个BANK中的相应寄存器内(10H,30H,50H,或70H)。
有些设计者第一次接触体选址的概念,难免理解上有出入,下面是一个例子:
例2:(设目前体选为BANK0)
MOVLW 55H
MOVWF 30H ;欲把55H→30H寄存器
MOVLW 66H
MOVWF 50H ;欲把66H→50H寄存器
以为“MOVWF 30H”一定能把W置入30H,“MOVWF 50H”一定能把W置入50H,这是错误的。因为这两条指令的实际效果是“MOVWF 10H”,原因上面已经说明过了。所以例2这段程序最后结果是F10H=66H,而真正的F30H和F50H并没有被操作到。
建议:为使体选址的程序清晰明了,建议多用名称定义符来写程序,则不易混淆。 例3:假设在程序中用到BANK0,BANK1,BANK2的几个寄存器如下:
BANK0 |
地址 |
BANK1 |
地址 |
BANK2 |
地址 |
BANK3 |
地址 |
A |
10H |
B |
30H |
C |
50H |
· |
70H |
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